分子束外延系統影響

分子束外延系統為一種在物理學、化學、材料科學領域應用的分析儀器。

近十幾年來在半導體工藝中發展起來的一項新技術包括分子束外延技術，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，通過一定的熱運動速度，根據一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進行晶體外延生長而對單晶膜進行制備的一種方法。簡稱為MBE法。

分子束外延系統影響

MBE的問世在超薄層材料外延生長技術方面實現了原子、分子數量級厚度的外延生長。使得可以帶工程這一新的半導體領域得到了開拓。對于半導體物理學和信息科學，半導體材料科學的發展所起到的推動作用非常的積極。微電子技術，光電子技術，超導電子技術及真空電子技術均是基于此。從歷史來觀，在現代半導體器件的發展中，外延技術的進展和用它制成所要求的結構所起到的作用不可或缺。BE的出現無疑對科學家和工程師們的想象力產生了激發的作用，并且提供了挑戰的機會給它們。分子束外延技術的發展對以GaAs為主的III-V族半導體及其它多元多層異質材料的生長起到了推動作用，使新型微電子技術領域的發展得到了大大的促進，使GaAs IC、GeSi異質晶體管及其集成電路以及各種超晶格新型器件造就了。尤其是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以這些器件為主設計和制作的集成電路）和紅外及其它光電器件，在軍事應用上的意義相當的重要。