答疑：AES樣品制備、數(shù)據(jù)采集及處理

Q：為何俄歇譜縱坐標(biāo)是：電子數(shù)和能量乘積，XPS的縱坐標(biāo)是只有電子數(shù)而沒有能量?

A：請參考我們的俄歇講堂第二課有關(guān)硬件原理的回放視頻。

Q：俄歇和XPS都用SCA，為何得到信號不同？

A：首先，我不確定我是否清楚這個(gè)問題。因此，我會(huì)以兩種方式作出回答。diyi種回答：XPS是通過用X射線轟擊樣品,從而產(chǎn)生包括光電子，俄歇電子和二次電子。 結(jié)果中XPS能譜將是這三種電子的疊加。對于AES，它是由電子擊中樣本，產(chǎn)生俄歇電子，二次電子和背散射電子。結(jié)果譜將是這三種電子的疊加。因此，如果我們的問題是為什么XPS和AES的“信號”不同，可以如以上的方法解釋。第二種回答：對于XPS分析，能量分析器將以FAT模式工作，輸入透鏡會(huì)對正在偵測電子減速至同一的動(dòng)能，以讓分析器的通過能保持不變。 對于俄歇分析，能量分析器將以FRR模式工作，偵測中的電子會(huì)以固定的減速比進(jìn)入能量分析器，并時(shí)通過能實(shí)際上持續(xù)變化。 因此，結(jié)果圖譜也將有所不同。

Q：高和低電子束分析時(shí)，樣品深度不一樣嗎？

A：偵測深度不會(huì)隨著入射電子束能量的升高或降低而改變。AES是表面分析技術(shù)，因?yàn)楫a(chǎn)生的俄歇電子僅具有?5nm的非彈性平均自由程。無論入射電子束能量是高還是低，這都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射電子束能量將極大地改變背散射電子的行為，當(dāng)中在SEM和AES的結(jié)果都會(huì)因?yàn)檫@因素而受到影響。

Q：彈性散射峰的強(qiáng)度忽高忽低，為啥？

A：通常，在進(jìn)行Zalign調(diào)整工作距離時(shí)，我們會(huì)看到彈性峰在Z合適的Z值處達(dá)到Z大訊號強(qiáng)度。如果您看到強(qiáng)度信號不穩(wěn)，Z好請工程師進(jìn)行檢查出真正的原因。

Q：AES能做元素價(jià)態(tài)分析嗎？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能夠?qū)崿F(xiàn)一些化學(xué)態(tài)面掃(Map)分析。

Q：高能區(qū)域的峰信號弱，怎樣改善?

A：可以使用更高的入射電子束能量以獲得在這動(dòng)能的俄歇峰更好的信噪比。通常我們會(huì)說，如果感興趣的俄歇峰 > 1000eV動(dòng)能，Z好使用較高的入射電子束能量（例如10kV），而如果感興趣的俄歇峰位于較低的KE范圍（<1000eV），那么可以使用較低的入射電子束能量（例如3kV或5kV）去獲得更好的峰值訊噪比圖譜結(jié)果。

Q：如有重疊峰，軟件可以依據(jù)次強(qiáng)峰去自動(dòng)換算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到這一點(diǎn)。只需將選定的元素改成所希望用的另一軌道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同軌道俄歇峰做定量。

Q：定量計(jì)算式，需要扣除背底嗎?

A：在XPS中我們是使用峰的面積進(jìn)行定量計(jì)算，而在AES中，我們則是使用微分譜中峰對峰(Peak-to-Peak)強(qiáng)度去做定量計(jì)算。因此，對于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT講堂中提到，另一些時(shí)侯如背景太高而影響峰形時(shí),或需要判斷化學(xué)態(tài)峰形狀等原因，有時(shí)我們是會(huì)需要對俄歇原始數(shù)據(jù)進(jìn)行背景扣除的。

AES系列講座雖然已經(jīng)結(jié)束

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好啦，看完老師歸納的ZD，現(xiàn)在來解答小伙伴們的疑惑吧！之后就是俄歇電子能譜ZT講座嘍，說好了，一定要來看?(?????)?

1.用稱量紙包著樣品是不是也不行？

雖然這是目前常見的樣品包裝方式，但是不建議這樣包裝。對于粉末樣品，建議使用潔凈的離心管乘裝樣品，這樣可以避免樣品從稱量紙包裝中撒漏出來。對于薄膜樣品，建議使用潔凈的表面皿并用少量雙面膠固定樣品，這樣可以避免樣品表面接觸其他物質(zhì)造成污染和損傷。

2.粉末狀樣品怎么包裝送樣會(huì)防止污染？

如問題（1），對于粉末樣品，建議使用潔凈的離心管盛裝樣品，這樣可以避免樣品被外部污染。另外，對于粉末樣品需要注意的是，部分污染物可能來自于樣品本身，例如合成過程中所使用的表面活性劑，在樣品制備時(shí)就要格外注意。

3.含量特別少，在掃全譜時(shí)會(huì)有譜峰嗎？

對于含量較少的元素，在全譜中可能不會(huì)出現(xiàn)明顯的譜峰。遇到此種情況，建議送樣同學(xué)將樣品詳細(xì)信息告知測試?yán)蠋煟缓鬁y試?yán)蠋熆梢酝ㄟ^優(yōu)化測試參數(shù)，例如增大通過能和延長測試時(shí)間，在窄譜掃描時(shí)來提高低含量元素譜圖的信噪比。但是如果元素含量在ppm甚至ppb級別，建議采用基于質(zhì)譜（如ICP-MS或TOF-SIMS）的分析技術(shù)進(jìn)行檢測。

4.同一樣品不同元素能用不同pass energy嗎？

這是一個(gè)需要值得注意的問題，因?yàn)榉治銎髟诓煌琾ass energy條件下的傳輸函數(shù)是有差別的。對于PHI的XPS設(shè)備，會(huì)對不同pass energy進(jìn)行校準(zhǔn)靈敏度因子，然后采用校準(zhǔn)的靈敏度因子進(jìn)行計(jì)算元素含量。這種條件下，是可以對同一樣品中不同元素采用不同的pass energy進(jìn)行測試的。

5.有機(jī)晶體如何裝配到樣品臺(tái)上？

如果有機(jī)晶體的尺寸足夠大，可以采用樣品托所配的Mask進(jìn)行固定樣品；如果尺寸較小，可以將樣品用導(dǎo)電膠粘附在樣品托上，測試時(shí)通過SXI影像對分析位置進(jìn)行定位。

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Q：求問電鏡分辨率1.6nm和0.8nm在實(shí)效果差多少？主要觀測半導(dǎo)體芯片，具體差別在哪里？

A：當(dāng)然總的來說空間分辨率越高，成像特征越清晰；但實(shí)際應(yīng)用與樣品基體效應(yīng)、分析需求、電鏡優(yōu)勢性能、操作條件比如加速電壓、電流、工作距離，真空環(huán)境等都有關(guān)系，由具體情況決定。

通常供應(yīng)商提供分辨率指標(biāo)都是在特定條件比如高加速電壓下低電流由標(biāo)準(zhǔn)樣品測試得到的。如果觀測半導(dǎo)體芯片，如果看淺表形貌特征，需要低加速電壓，這時(shí)候可能電鏡分辨率1.6nm和0.8nm的實(shí)際差異不大，要看此電鏡在低加速電壓的分辨能力；

當(dāng)分析對象尺度接近電鏡空間分辨能力的時(shí)候，比如幾個(gè)納米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同電鏡能體現(xiàn)出成像差異；但當(dāng)分析特征的尺度遠(yuǎn)大于空間分辨率的時(shí)候，比如100nm，從成像上兩者的差別不會(huì)很明顯。

以上是經(jīng)驗(yàn)淺談，畢竟PHI不是電鏡供應(yīng)商，僅供大家參考。

Q：請問AES和SEM-EDS測試的元素分布的區(qū)別？

A：AES和EDS成分分析的主要區(qū)別：

Q：這種AES化學(xué)態(tài)的分析和XPS有什么區(qū)別？

A：總的來說化學(xué)態(tài)分析主要用XPS，而AES主要獲得元素信息，也有一定的化學(xué)態(tài)信息： 

(1)俄歇激發(fā)本身涉及不同軌道能級三個(gè)電子的行為，俄歇電子動(dòng)能與三個(gè)電子對應(yīng)的軌道的結(jié)合能相關(guān)，比較難預(yù)測動(dòng)能變化與化學(xué)態(tài)的相關(guān)性，不像XPS是單電子激發(fā)，原子得電子和失電子帶來的結(jié)合能位移有一定的原則，有助于判斷化學(xué)態(tài)；

(2)俄歇是電子源入射，電子源本身對化學(xué)態(tài)尤其是有機(jī)材料的化學(xué)鍵有一定的破壞作用；電子源激發(fā)出的圖譜里有較大的背景（背散電子 彈性散射和非彈性散射背底、二次電子背底等）影響譜峰判定，給化學(xué)態(tài)判斷帶來影響；

(3)AES能量分辨率沒有XPS能量分辨高，AES譜峰寬、譜峰分裂多（多種終態(tài)），不對稱性等都影響化學(xué)態(tài)判斷。而XPS譜峰（能量分辨好、背底干擾小、對稱性好、 特征峰比如軌道分裂峰、衛(wèi)星峰等）有化學(xué)態(tài)特征性。

Q：請問不導(dǎo)電的樣品可以測試AES嗎？

A：俄歇主要用于測導(dǎo)體，半導(dǎo)體，對于絕緣材料除非改善荷電效應(yīng)可以用俄歇分析，但對于有機(jī)材料本身電子束對化學(xué)鍵損傷，即使測出有機(jī)材料的元素比如C/O/N/S對有機(jī)材料的成分分析來說信息非常有限，意義不大。

Q：硅酸鹽粘土礦物可以嗎？也是絕緣性的？AES可以區(qū)分出來不同羥基嗎? Si-OH Al-OH可以區(qū)分出來嗎? 

A：同上，除非能改善荷電效應(yīng)才能分析絕緣材料，本來荷電效應(yīng)大就會(huì)使譜峰信號差，譜峰變形嚴(yán)重（展寬、能量位移等），不能進(jìn)行化學(xué)態(tài)判定，所以主要獲得元素信息，不能識(shí)別化學(xué)態(tài)（比如羥基等）。

Q：請問AES在鈣鈦礦太陽能電池上有何應(yīng)用嗎？

A：只要樣品有一定導(dǎo)電性或通過樣品制備改善荷電效應(yīng)，都可以用AES進(jìn)行分析，所以AES可以分析鈣鈦礦太陽能電池材料（采用導(dǎo)電銅膠固定樣品），但因?yàn)殁}鈦礦材料主要是有機(jī)金屬鹵化物半導(dǎo)體材料，AES電子束對有機(jī)化學(xué)鍵有一定損傷，不能用于化學(xué)態(tài)判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量結(jié)果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等），但也有譜峰重合問題（比如I和O譜峰）；所以總體來說AES對鈣鈦礦材料成分表征有一定局限性。

1.問：求問電鏡分辨率1.6nm和0.8nm在實(shí)際效果差多少？主要觀測半導(dǎo)體芯片，具體差別在哪里？

回復(fù)：當(dāng)然總的來說空間分辨率越高，成像特征越清晰；但實(shí)際應(yīng)用與樣品基體效應(yīng)、分析需求、電鏡優(yōu)勢性能、操作條件比如加速電壓、電流、工作距離，真空環(huán)境等都有關(guān)系，由具體情況決定。

通常供應(yīng)商提供分辨率指標(biāo)都是在特定條件比如高加速電壓下低電流由標(biāo)準(zhǔn)樣品測試得到的。如果觀測半導(dǎo)體芯片，如果看淺表形貌特征，需要低加速電壓，這時(shí)候可能電鏡分辨率1.6nm和0.8nm的實(shí)際差異不大，要看此電鏡在低加速電壓的分辨能力；

當(dāng)分析對象尺度接近電鏡空間分辨能力的時(shí)候，比如幾個(gè)納米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同電鏡能體現(xiàn)出成像差異；但當(dāng)分析特征的尺度遠(yuǎn)大于空間分辨率的時(shí)候，比如100nm，從成像上兩者的差別不會(huì)很明顯。

以上是經(jīng)驗(yàn)淺談，畢竟PHI不是電鏡供應(yīng)商，僅供大家參考。

2.問：請問AES和SEM-EDS測試的元素分布的區(qū)別？

回復(fù): AES 和 EDS成分分析的主要區(qū)別：

3.問：這種AES化學(xué)態(tài)的分析和XPS有什么區(qū)別？

回復(fù): 

總的來說化學(xué)態(tài)分析主要用XPS，而AES主要獲得元素信息，也有一定的化學(xué)態(tài)信息：

1)  俄歇激發(fā)本身涉及不同軌道能級三個(gè)電子的行為，俄歇電子動(dòng)能與三個(gè)電子對應(yīng)的軌道的結(jié)合能相關(guān)，比較難預(yù)測動(dòng)能變化與化學(xué)態(tài)的相關(guān)性，不像XPS是單電子激發(fā)，原子得電子和失電子帶來的結(jié)合能位移有一定的原則，有助于判斷化學(xué)態(tài)；

2)  俄歇是電子源入射，電子源本身對化學(xué)態(tài)尤其是有機(jī)材料的化學(xué)鍵有一定的破壞作用；電子源激發(fā)出的圖譜里有較大的背景（背散電子'彈性散射和非彈性散射背底、二次電子背底等）影響譜峰判定，給化學(xué)態(tài)判斷帶來影響；

3)  AES能量分辨率沒有XPS能量分辨高，AES譜峰寬、譜峰分裂多（多種終態(tài)），不對稱性等都影響化學(xué)態(tài)判斷。而XPS譜峰（能量分辨好、背底干擾小、對稱性好、 特征峰比如軌道分裂峰、衛(wèi)星峰等）有化學(xué)態(tài)特征性。

4.問:請問AES在鈣鈦礦太陽能電池上有何應(yīng)用嘛？

回復(fù)：只要樣品有一定導(dǎo)電性或通過樣品制備改善荷電效應(yīng)，都可以用AES進(jìn)行分析，所以AES可以分析鈣鈦礦太陽能電池材料（采用導(dǎo)電銅膠固定樣品），但因?yàn)殁}鈦礦材料主要是有機(jī)金屬鹵化物半導(dǎo)體材料，AES電子束對有機(jī)化學(xué)鍵有一定損傷，不能用于化學(xué)態(tài)判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量結(jié)果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等）， 但也有譜峰重合問題（比如I和O譜峰）；所以總體來說AES對鈣鈦礦材料成分表征有一定局限性。

5.問：請問不導(dǎo)電的樣品可以測試AES嗎？

回復(fù) : 俄歇主要用于測導(dǎo)體，半導(dǎo)體，對于絕緣材料除非改善荷電效應(yīng)可以用俄歇分析，但對于有機(jī)材料本身電子束對化學(xué)鍵損傷，即使測出有機(jī)材料的元素比如C/O/N/S對有機(jī)材料的成分分析來說信息非常有限，意義不大。

6.問：硅酸鹽粘土礦物可以嗎？也是絕緣性的？AES可以區(qū)分出來不同羥基嗎? Si-OH Al-OH可以區(qū)分出來嗎?

回復(fù): 同上，除非能改善荷電效應(yīng)才能分析絕緣材料，本來荷電效應(yīng)大就會(huì)使譜峰信號差，譜峰變形嚴(yán)重（展寬、能量位移等），不能進(jìn)行化學(xué)態(tài)判定，所以主要獲得元素信息，不能識(shí)別化學(xué)態(tài)（比如羥基等）。

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Q：如果樣品本身導(dǎo)電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

A：樣品本身必須導(dǎo)電，否則很難做俄歇測試，而在HERO模式時(shí)，樣品并不是接地而是要和樣品托外側(cè)絕緣。

Q：調(diào)制的電壓連續(xù)變化嗎？

A：測試精細(xì)譜時(shí)，調(diào)制電壓不變，儀器在測試一個(gè)固定的峰位。

Q：xps里選配的auger是用的什么分析器？

A：半球型（SCA型）。

Q：是樣品和樣品托底座之間絕緣？XPS選配auger用的是SCA？

A：樣品和底座要導(dǎo)電接觸。XPS選配auger半球型（SCA型）。

Q：高分辨測量的時(shí)候，調(diào)制電壓是連續(xù)變化的，還是對某一范圍能量電子用一個(gè)調(diào)制電壓？

A：測試精細(xì)譜時(shí)，調(diào)制電壓不變，儀器在測試一個(gè)固定的峰位。

Q：HERO分辨率Z高多少？

A：是0.1% 。

Q：SCA分析器實(shí)現(xiàn)高能量分辨是通過什么？

A：在FAT（固定通過能）模式下0.5eV,而在俄歇分析模式下（FRR）也是0.1% 。

Q：cma的mcp是裝在什么部位？

A：如下圖Multi-Channel Detector 的位置。

Q：pass energy 是什么？

A：pass energy是能量分析器允許電子通過時(shí)所具備的動(dòng)能（Kinetic Energy）

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今天下午三點(diǎn)

AES樣品制備、數(shù)據(jù)采集及處理

就等你啦！

1.問：如果樣品本身導(dǎo)電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

回復(fù)：樣品本身必須導(dǎo)電，否則很難做俄歇測試，而再HERO模式時(shí)，樣品并不是接地而是要和樣品托外側(cè)絕緣。

1.問：如果樣品本身導(dǎo)電呢？是樣品和樣品托底座之間絕緣？

回復(fù)：樣品本身必須導(dǎo)電，否則很難做俄歇測試，而再HERO模式時(shí)，樣品并不是接地而是要和樣品托外側(cè)絕緣。

9.問：pass energy 是什么？

回復(fù)： pass energy是能量分析器允許電子通過時(shí)所具備的動(dòng)能（Kinetic Energy）

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Q：Mask有正反么？

A：Mask主要作用是在制備樣品的時(shí)候遮擋樣品部分表面以及改善荷電效應(yīng)，沒有正反面之分。

Q：為什么二次離子像這么散？

A：主要是所測試的樣品表面不是平整表面是有PATTEN的錫球表面，其相對PCB板有一定的高度，PHI TOF-SIMS 采用TRIFT分析器，其接收角大，景深比較好，對高低不平表面都有很好的探測能力，當(dāng)FOV（視窗）大于錫球面積的時(shí)候，就會(huì)看到除了ZX區(qū)域周圍也有二次離子激發(fā)出來，打到DMCP上。

Q：同位素比對是什么原理？

A：TOF-SIMS分析可以表征元素的同位素，其不同同位素譜峰的峰強(qiáng)比與其在自然界中的豐度比是一致的。所以根據(jù)同位素質(zhì)量位置以及譜峰比例關(guān)系有助于我們對元素和成分進(jìn)行定性判定。

Q：是因?yàn)椴惶珜?dǎo)電么？

A：接第二個(gè)問題，二次離子這么散不是因?yàn)閷?dǎo)電性，還是跟樣品形貌有關(guān)。不導(dǎo)電樣品用TOF-SIMS分析可以采用導(dǎo)電雙面膠制樣、加MASK以及采用雙束中和的功能就可以對不導(dǎo)電樣品有比較好的分析能力。

Q：在采譜的時(shí)候同時(shí)做mapping嗎?

A：是的，請看下圖示意：初級離子源在樣品表面特定區(qū)域上掃描，每個(gè)像素點(diǎn)都有對應(yīng)的質(zhì)譜和離子分布圖保存下來，示意圖呈現(xiàn)的是整個(gè)分析區(qū)域的總離子分布圖（left）和總離子質(zhì)譜圖（right），

TOF-SIMS的總離子質(zhì)譜圖和分布圖是同時(shí)采集的，所以分析效率非常高，通常幾分鐘就可以得到比較完整的圖譜和成像；

當(dāng)客戶關(guān)心總離子分布成像中某個(gè)特定區(qū)域的成分時(shí)，可通過軟件選定特定區(qū)域進(jìn)行質(zhì)譜圖回溯，根據(jù)質(zhì)譜圖分析成分；

當(dāng)客戶發(fā)現(xiàn)總質(zhì)譜圖中的某個(gè)特定譜峰（成分），想看其在表面的分布時(shí)，可選定特定譜峰進(jìn)行離子MAPPING的回溯，看其在表面的分布。

可以看出TOF-SIMS的數(shù)據(jù)信息很全面，數(shù)據(jù)處理功能很強(qiáng)大，可避免重復(fù)檢測，大大提高檢測和分析結(jié)果的可靠和GX。

Q：元素分布顯色，是亮色區(qū)域還是暗色區(qū)域？

A：請看MAPPING旁邊的尺標(biāo)，越亮的區(qū)域代表對應(yīng)離子成分在此區(qū)域分布更多，越暗色區(qū)域代表相應(yīng)成分分布含量少。

Q：每次都要做質(zhì)量矯正嗎？

A：是的，每次都要對譜峰做質(zhì)量校正，因?yàn)樵赥oF-SIMS分析中是以飛行時(shí)間轉(zhuǎn)換成質(zhì)量來呈現(xiàn)，以已知peak質(zhì)量去校正飛行時(shí)間點(diǎn)是必要的，雖然儀器出來的質(zhì)量已有校正過相差不遠(yuǎn)，但為了讓整個(gè)圖譜質(zhì)量達(dá)到精確就一定要做校準(zhǔn)，通常選用已知譜峰的離子質(zhì)量數(shù)去校準(zhǔn)，避免相同整數(shù)質(zhì)量的peak認(rèn)定錯(cuò)誤。

Q：上述測試濺射離子源用的是什么？

A：因?yàn)榘咐惺荘MMA樣品，所以選用團(tuán)簇離子源（GCIB）對樣品進(jìn)行濺射深度剖析，因?yàn)镚CIB （由幾千個(gè)原子離子組成的離子團(tuán)簇）每個(gè)原子離子分配的能量比較低，對有機(jī)化學(xué)鍵的破壞非常小，因此適用于對有機(jī)材料的深度剖析。而如果是無機(jī)材料可以選用Cs源和氣源進(jìn)行深度剖析；如果是有機(jī)無機(jī)復(fù)合材料或硅酸鹽玻璃材料可以選用C60離子源進(jìn)行分析。

Q：Si wafer 表面有pattern,且pattern表面不導(dǎo)電，pattern不平如何做電荷補(bǔ)償？其中Target area100um

A：制備樣品的時(shí)候直接壓MASK在上面，測試時(shí)打開雙束中和進(jìn)行荷電補(bǔ)償。因分析視窗從Z小1um到600X600um, 所以可以在不移動(dòng)樣品臺(tái)的情況下選擇 Target area100um的區(qū)域進(jìn)行分析。

Q：元素H， C， O， N 的檢測限是？

A：不同元素在同種材料里的離子產(chǎn)額不同，檢出限不同；同種元素在不同的基體效應(yīng)里離子產(chǎn)額也不同，因此很難給出準(zhǔn)確的數(shù)值。這里提供大概的數(shù)值供參考（如下所示）。如果一定要準(zhǔn)確定量分析，那一定需要與待測樣品相似基體效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)樣品（已知對應(yīng)元素的準(zhǔn)確含量值）。另外使用的濺射離子源種類與能量還有機(jī)臺(tái)當(dāng)時(shí)的真空情況都有可能影響探測極限。

H:~1e17/cm3

C:~1e16/cm3

O:~ 5e16/cm3

N:~3e14/cm3 (以上是利用Cs+濺射源以D-SIMS負(fù)離子模式下的各元素在Si matrix的推估值，實(shí)際在ToF-SIMS下的偵測極限還是要實(shí)際操作得知。

       隨著TOF-SIMS課程的結(jié)束，本次網(wǎng)絡(luò)講堂就暫時(shí)告一段落了。是不是有點(diǎn)不舍呢~往后我們還會(huì)舉辦更多的講座和更多的技術(shù)分享，請繼續(xù)關(guān)注我們！

醬醬~萬眾期待的第五課實(shí)驗(yàn)技術(shù)的知識(shí)要點(diǎn)來啦~~

喜歡我們的課程，請不要忘記分享喲~（づ￣3￣）づ╭?～

小伙伴們，上一篇的知識(shí)點(diǎn)總結(jié)，大家都認(rèn)真看完了嗎？(～￣▽￣)～

大家提出的問題，老師都一一解答，快來跟我去一探究竟吧！

明天（3月3日）下午三點(diǎn)繼續(xù)解鎖新課程“數(shù)據(jù)處理：數(shù)據(jù)處理原則和MultiPak軟件功能概述”，如果喜歡我們的課程，歡迎朋友圈分享哦￣ω￣=

　　磁翻板液位計(jì)在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)故障，在這些故障中，有些是由單個(gè)部件故障引起的，有些是由多個(gè)部件同時(shí)故障引起的。磁翻板液位計(jì)的常見故障及其原因分析如下：

　　一、顯示面板顯示異常

　　造成這種故障的原因通常有以下幾種：

　　1、翻片與導(dǎo)軌間的間隙設(shè)計(jì)不合理或過小，從而導(dǎo)致摩擦力過大，翻片不翻轉(zhuǎn)；

　　2、顯示面板與浮筒的距離過大，浮子的磁鋼驅(qū)動(dòng)力不足，導(dǎo)致翻片不翻轉(zhuǎn)；

　　3、翻片中的磁鋼過小或磁力消失，導(dǎo)致翻片不翻轉(zhuǎn)或翻轉(zhuǎn)異常；
　　4、水或灰塵等雜質(zhì)滲入顯示面板，導(dǎo)致翻片翻轉(zhuǎn)困難；
　　5、環(huán)境溫度過低，導(dǎo)致介質(zhì)結(jié)冰，浮子無法移動(dòng)，翻片不能正常顯示液位。

　　二、就地顯示正常，遠(yuǎn)傳顯示不正常

　　一般來說，造成這種故障通常有以下幾個(gè)原因：

　　1、國產(chǎn)玻璃管干簧管易碎，干簧管短路或者開路，會(huì)導(dǎo)致遠(yuǎn)傳異常；
　　2、電阻虛焊；
　　3、干簧管的金屬觸點(diǎn)間隙很小，當(dāng)介質(zhì)溫度過高，其受熱時(shí)金屬薄片膨脹，容易出現(xiàn)閉合狀態(tài)；
　　4、壓力超出額定值，導(dǎo)致開關(guān)損壞。

　　三、遠(yuǎn)傳和磁翻板都不動(dòng)

　　這種故障現(xiàn)象通常就是浮子異常導(dǎo)致，有以下2種表現(xiàn)：

　　現(xiàn)象一：浮子被卡住，導(dǎo)致顯示面板指示不正確
　　故障分析：磁翻板液位計(jì)里的浮子被卡住，通常有以下幾個(gè)原因：
　　1、當(dāng)浮子使用一段時(shí)間后，浮子可能會(huì)因?yàn)殡s質(zhì)的存在而卡住，不能上升或下降；
　　2、浮筒的安裝角度小于87度，導(dǎo)致傾斜，影響浮子的上下移動(dòng)；
　　3、浮子由于本身的磁性吸附鐵屑或其它污物導(dǎo)致被卡住；
　　4、環(huán)境溫度過低，導(dǎo)致介質(zhì)結(jié)冰，浮子無法移動(dòng)。
　　現(xiàn)象二：浮子損壞，導(dǎo)致顯示面板指示不正確
　　故障分析：磁翻板液位計(jì)里的浮子損壞，通常有以下幾個(gè)原因：
　　1、浮子由于強(qiáng)度設(shè)計(jì)不對，導(dǎo)致受到過壓力時(shí)向里面凹陷，變癟；
　　2、在焊接處沒焊透或漏焊，導(dǎo)致浮子受到壓力時(shí)焊縫裂開，浮子進(jìn)水；
　　3、浮子由于使用時(shí)間長或者長期高溫使用，出現(xiàn)退磁，導(dǎo)致無法使用；
　　4、浮子中的磁鋼松動(dòng)，導(dǎo)致浮子無法工作。
　　通過對磁翻板液位計(jì)常見故障的分析，基本就找到了解決問題的辦法，因?yàn)檎业搅斯收系脑颍瑔栴}就解決了一半，根據(jù)出現(xiàn)的故障及其原因，有針對性的處理即可。
　　事實(shí)上，為避免磁翻板液位計(jì)故障的發(fā)生，深圳計(jì)為自動(dòng)化技術(shù)有限公司更重視從源頭上解決問題，其生產(chǎn)的磁翻板液位計(jì)的浮筒選用優(yōu)質(zhì)的304或者316L不銹鋼材料，jing準(zhǔn)匹配浮筒內(nèi)徑與浮子外徑尺寸，并依據(jù)現(xiàn)場介質(zhì)的密度和壓力準(zhǔn)確計(jì)算浮子的尺寸大小，從選材、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)各方面嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，使磁翻板液位計(jì)的可靠性顯著增加。（信息摘自：http://www.levelmeter.cn/baikeshow-87-302-1.html，轉(zhuǎn)載請注明出處。）

PHI CHINA的AES儀器產(chǎn)品，在過去一年為用戶帶來卓 越的科學(xué)研究體驗(yàn)，而高質(zhì)量的科研出版物正是科學(xué)進(jìn)步、理解和交流的基石。

回顧 2021 年，PHI AES，包括PHI 710和 PHI 4700儀器，在支持科學(xué)研究方面產(chǎn)生了積極的影響，PHI AES儀器為1300多篇學(xué)術(shù)出版物提供了關(guān)鍵科學(xué)數(shù)據(jù)，其中許多成果發(fā)表在高影響力期刊（Nature和Science）。

PHI AES儀器主要用于研究大量具有高科技特性和重大研究價(jià)值的新型材料：如基于鈣鈦礦1、砷化鎵2和硅3 的太陽能電池；假肢和醫(yī)療植入物4-6 ; 二維量子材料7 ; 用于燃料電池、水分解、能量儲(chǔ)存8-9和有機(jī)微污染物去除10 的新型催化劑；發(fā)光二極管11-12；熱電材料13 ; 金屬合金的深海摩擦腐蝕14 ; 核電站和水冷反應(yīng)堆的低碳鋼材料15; 不銹鋼點(diǎn)腐蝕16 ; 增材制造17 ; 鋰離子電池18-19 ; 以及全固態(tài)電池20。

其中一個(gè)例子是在《Nature Communications》上發(fā)表的一篇由華東理工大學(xué)工業(yè)廢水無害化與資源化國家工程研究中心的研究成果，為當(dāng)前“雙碳”目標(biāo)下生物質(zhì)等原料的高原子經(jīng)濟(jì)性轉(zhuǎn)化利用提供了有效的參考。這項(xiàng)工作篩選多種天然礦物和實(shí)際礦粉，由此發(fā)掘Fe-Mn的多級賦存形態(tài)對氧化自由基的發(fā)生與調(diào)控至關(guān)重要，并進(jìn)一步設(shè)計(jì)優(yōu)化了MnO2和針鐵礦混合的軟錳礦物理混合針鐵礦復(fù)合催化劑，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)物乙醇酸（GA）和甲酸（FA）的高產(chǎn)率協(xié)同制備。整個(gè)催化體系也表現(xiàn)出了高度的穩(wěn)定性，展現(xiàn)了優(yōu)異的實(shí)際應(yīng)用前景，完善了生物基聚乙醇酸產(chǎn)業(yè)鏈上一環(huán)，提供了雙碳背景下煤基-生物基新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新的可行性。在本項(xiàng)目研究中通過使用 PHI AES 710掃描俄歇納米探針，科學(xué)家們對新鮮的Mn基催化劑和反應(yīng)后的催化劑表面獲得了Mn元素空間分辨影像，幫助闡明了催化劑氧化的機(jī)制（圖1）。PHI AES 710儀器所具備的高空間分辨(<8 nm) 元素影像功能能夠?qū)Σ牧系男蚊埠捅砻嬖胤植继峁┏錾目梢暬Ч?/p>

圖 1. 新鮮（底部）和反應(yīng)后（頂部）MnO2 /Goe催化劑AES的SEM影像和Mn元素俄歇影像。

另一例子是發(fā)表在《NPG Asia Materials》的論文，由東京工業(yè)大學(xué)和格拉斯哥大學(xué)的研究者22利用 PHI AES 710儀器研究了鐵基超導(dǎo)體。在這項(xiàng)工作中，通過俄歇深度剖析探測了Fe-pnictide異質(zhì)結(jié)構(gòu)層狀材料的界面化學(xué)性質(zhì)。俄歇深度剖析結(jié)果顯示了在未摻雜和Co2+替代的情況下，存在光滑和干凈的界面，以及在沉積過程中過量O 2-存在的情況下形成的界面層（圖2）。對這些極薄層進(jìn)行精確深度剖析的結(jié)果體現(xiàn)了PHI AES 710優(yōu)異的深度分辨能力。

圖2. STEM 圖像: a. 干凈的、未摻雜Sm-1111/Ba-122的界面、b. 干凈的，Co 2+ -取代La-1111/Ba-122的界面、c. Sm-1111/Ba-122中的界面層 (IFL)（過量的O 2–）；AES深度剖析: d. 未摻雜Sm-1111/Ba-122、e. Co 2+ -取代La-1111/Ba-122，和f. Sm-1111/Ba-122中的界面層 (IFL)（過量的O 2–）。