U-III表面粒子計(jì)數(shù)器如何檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的顆粒？？？

U-III表面粒子計(jì)數(shù)器如何檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的顆粒？？？

一、需求目的：1、熱達(dá)標(biāo)；2、故障少 1KJ[&jS ]
二、細(xì)化需求，怎么評(píng)估樣品：1、設(shè)計(jì)方面；2、測(cè)試方面 ): r'IR
三、具體到芯片設(shè)計(jì)有哪些需要關(guān)注： MW=rX>tE
1、頂層設(shè)計(jì) k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、熱設(shè)計(jì)及功耗 B<~BX[
4、資源利用、速率與工藝 -&QpQ7q1
5、覆蓋率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具體到測(cè)試有哪些需要關(guān)注： SW HiiF@
1、可測(cè)試性設(shè)計(jì) W=,]#Z+M;
2、常規(guī)測(cè)試：晶圓級(jí)、芯片級(jí) 8Z 0@-8vi
3、可靠性測(cè)試 c{jTCkzq
4、故障與測(cè)試關(guān)系 K=dG-
+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
測(cè)試有效性保證； |Lc.XxBkc
設(shè)計(jì)保證？測(cè)試保證？篩選？可靠性？  x![ut  
設(shè)計(jì)指標(biāo)？來(lái)源工藝水平，模塊水平，覆蓋率 cn'rBY

晶圓測(cè)試：接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、全面的功能測(cè)試、全面的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、   模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試。 Nh6!h%
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測(cè)dice， Vj[,o Vt$
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芯片測(cè)試：ATE測(cè)試項(xiàng)目來(lái)源，邊界掃描 `L.nj6F
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故障種類： :n oZ p:a
缺陷種類： 0|(6q=QK
針對(duì)性測(cè)試： fc%C!^7
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性能功能測(cè)試的依據(jù)，可測(cè)試性設(shè)計(jì)：掃描路徑法scan path、內(nèi)建自測(cè)法BIST-built in self-test YKa9]Q
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芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關(guān)系； szy2"~hm
仿真與誤差， {z8wFL\
n 預(yù)研階段 Vc "+|^
n 頂層設(shè)計(jì)階段 !Ee&e~"
n 模塊設(shè)計(jì)階段 e`%<D[-
n 模塊實(shí)現(xiàn)階段 Bv}nG|
n 子系統(tǒng)仿真階段 oh >0}Gc8
n 系統(tǒng)仿真,綜合和版面設(shè)計(jì)前門(mén)級(jí)仿真階段 r6}-EYq=
n 后端版面設(shè)計(jì) LLwC*)#
n 測(cè)試矢量準(zhǔn)備 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生產(chǎn) eo4v[V&
n 硅片測(cè)試 N1'$;9 c
頂層設(shè)計(jì)： @Y+9")?
n 書(shū)寫(xiě)功能需求說(shuō)明 _MUSXB'
n 頂層結(jié)構(gòu)必備項(xiàng) <7J\8JR&=
n 分析必選項(xiàng)-需要考慮技術(shù)靈活性、資源需求及開(kāi)發(fā)周期 !Bb^M3iA  
n 完成頂層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)說(shuō)明 -2y>X`1Y
n 確定關(guān)鍵的模塊（盡早開(kāi)始） ~6Hi"
w
n 確定需要的第三方IP模塊 W/
n 選擇開(kāi)發(fā)組成員 IsB=G-s
n 確定新的開(kāi)發(fā)工具 6ieP` bct
n 確定開(kāi)發(fā)流程/路線 >3y:cPTM5
n 討論風(fēng)險(xiǎn) GhY MO6Q4
n 預(yù)計(jì)硅片面積、輸入/輸出引腳數(shù)  開(kāi)銷和功耗 AJ85[~(lX
n 國(guó)軟檢測(cè) 芯片失效分析ZX

顆粒的表面改性處理是伴隨現(xiàn)代*復(fù)合材料的興起而發(fā)展起來(lái)的一個(gè)研究熱點(diǎn)。雖然它的發(fā)展歷史較短，但對(duì)于現(xiàn)代有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合材料、無(wú)機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合材料、涂料或涂層材料、吸附與催化材料、環(huán)境材料以及超細(xì)粉體和納米粉體的制備和應(yīng)用具有重要的意義。顆粒表面的性質(zhì)有時(shí)會(huì)影響到粉碎能否繼續(xù)下去，也會(huì)影響到粉體能否被應(yīng)用等重大問(wèn)題。因此，通過(guò)有目的的控制或改變顆粒表面的性質(zhì)，對(duì)顆粒的制備和應(yīng)用具有重要的影響作用。顆粒表面改性處理技術(shù)主要包括：改性處理工藝、設(shè)備、改性劑、顆粒表面功能化處理等。

1．顆粒表面改性處理工藝

顆粒表面改性處理工藝主要包括：液相法處理、干法改性處理、氣相法處理、機(jī)械力化學(xué)處理、高能輻射（包括等離子體、激光、電子束等）處理等。顆粒表面改性處理工藝按改性與顆粒制備二者的先后順序可以分為原位處理和后處理，原位處理是在顆粒粉碎或者顆粒生成的同時(shí)，就有目的地控制或改變顆粒表面的性質(zhì)。這對(duì)團(tuán)聚性高的粉體是一種有效的解決方法。

液相法改性處理工藝特點(diǎn)是顆粒分散在液相中并吸附改性劑，顆粒改性效果穩(wěn)定，改性劑在顆粒表面吸附均勻、完全，但是顆粒如果在干態(tài)下應(yīng)用，還需進(jìn)行干燥后處理，改性工藝流程復(fù)雜，成本較高。

干法改性處理工藝特點(diǎn)是顆粒在干態(tài)下進(jìn)行分散，通過(guò)噴灑改性劑或改性劑溶液，在一定溫度下使改性劑吸附在顆粒表面完成顆粒的表面改性處理。改性方法靈活，工藝簡(jiǎn)單，成本低，但在改性過(guò)程中難以對(duì)顆粒做到均一處理。

氣相法改性處理工藝特點(diǎn)是分散在氣相中的改性劑能夠均勻地吸附在顆粒表面，顆粒改性效果穩(wěn)定，與液相處理設(shè)備相比，改性后的粉體無(wú)需進(jìn)行干燥處理。但受到改性過(guò)程中氣固分離技術(shù)的限制，氣相處理設(shè)備很難對(duì)亞微米級(jí)的顆粒進(jìn)行表面改性處理。

機(jī)械力化學(xué)處理工藝特點(diǎn)是在顆粒的粉碎同時(shí)添加改性劑進(jìn)行表面改性處理，在粉體粒度減小的同時(shí)對(duì)顆粒進(jìn)行表面改性處理。由于粉碎過(guò)程中顆粒會(huì)產(chǎn)生大量高活性新生表面，并且粉碎過(guò)程中強(qiáng)烈機(jī)械作用可以對(duì)顆粒表面進(jìn)行激活，有效改善改性劑在顆粒表面的吸附。該工藝可以將顆粒粉碎與表面改性二者有機(jī)的結(jié)合在一起，簡(jiǎn)化顆粒的加工工藝流程，并能夠提高顆粒的粉碎效率及強(qiáng)化顆粒表面改性的效果。但由于改性過(guò)程中顆粒不斷被粉碎，產(chǎn)生新的表面，顆粒表面難以完全吸附改性劑。

高能輻射改性工藝特點(diǎn)是直接通過(guò)高能輻射方式改變顆粒表面的電荷量來(lái)改變顆粒表面的性質(zhì)，或者是利用高能輻射強(qiáng)化有機(jī)改性劑在顆粒表面的吸附，更好地對(duì)顆粒表面進(jìn)行改性處理。

2．顆粒表面改性處理設(shè)備

顆粒液相法改性處理設(shè)備包括：可控溫?cái)嚢璺磻?yīng)釜、可控溫?cái)嚢璺磻?yīng)罐、濕法攪拌磨等。干法改性處理設(shè)備包括間歇式的高攪機(jī)和連續(xù)式的SLG型粉體表面改性機(jī)、PSC型粉體表面改性機(jī)等。機(jī)械力化學(xué)處理設(shè)備包括一些具有粉碎效果的設(shè)備，如振動(dòng)磨、球磨機(jī)、氣流粉碎機(jī)、行星磨等具有粉碎效果的設(shè)備。氣相處理設(shè)備包括：流化床、氣流湍流顆粒分散與改性設(shè)備等。高能輻射處理設(shè)備：包括等離子體型、激光束型、電子束型等設(shè)備。

3．顆粒表面改性劑

顆粒表面改性處理主要是依靠改性劑在顆粒表面的吸附來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此，改性劑的性質(zhì)對(duì)改性后顆粒的表面性質(zhì)起著決定性的作用。目前常用的改性劑有偶聯(lián)劑（鈦酸酯偶聯(lián)劑、硅烷偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑）、表面活性劑、有機(jī)低聚物、有機(jī)硅等，其中偶聯(lián)劑是目前無(wú)機(jī)顆粒*常用的一類改性劑。偶聯(lián)劑與顆粒表面的作用機(jī)理有物理吸附理論、可逆水解平衡理論和化學(xué)鍵合理論等，其與有機(jī)基體的作用機(jī)理有化學(xué)鍵理論、浸潤(rùn)效應(yīng)理論、界面層理論（可變形層理論和約束層理論）等。

4．微/納米顆粒復(fù)合化改性

除了上述通過(guò)改性劑（主要為溶液）對(duì)顆粒表面進(jìn)行改性處理外，這幾年出現(xiàn)了很多復(fù)合功能顆粒材料。將微米/納米顆粒子粒子附著在微米顆粒母粒子表面，以改變母粒子的表面性質(zhì)、表面粗糙度、消除其尖銳的棱角、制備微納米復(fù)合顆粒是目前一種新發(fā)展的顆粒表面改性處理方法。該方法使普通顆粒材料具有新的性能和功能，在滿足需要的同時(shí)，降低功能組分的用量，提高經(jīng)濟(jì)效益。實(shí)現(xiàn)微/納米顆粒復(fù)合化改性的方法有物理方法、機(jī)械方法、化學(xué)方法等。

物理方法就是通過(guò)物理沉積的作用在顆粒表面沉積一層納米顆粒膜。如采用磁控濺射鍍膜或真空蒸鍍的方法在微顆粒表面沉積金、銀、銅、鋁、鈷、鎳等金屬顆粒膜。

機(jī)械方法就是在摩擦、研磨、沖擊、振動(dòng)和高速攪拌等機(jī)械力作用下，小顆粒與大顆粒會(huì)發(fā)生固相反應(yīng)或機(jī)械鑲嵌等作用，從而使小顆粒包覆在大顆粒表面。如采用日本奈良機(jī)械制作所開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的高速氣流沖擊式粉體表面改性設(shè)備Hybridization，進(jìn)行無(wú)機(jī)顆粒/高聚物、金屬/金屬、無(wú)機(jī)顆粒/金屬等類型的復(fù)合化改性處理，獲得了許多功能性的顆粒材料，是目前能夠進(jìn)行工業(yè)化處理的一種顆粒復(fù)合化改性方法。

化學(xué)方法就是通過(guò)一定的化學(xué)反應(yīng)在顆粒表面沉積一層顆粒膜的方法。如采用化學(xué)鍍的方法在顆粒表面包覆一層金屬鎳、銀、銅等金屬膜，采用沉淀法或溶膠凝膠法在顆粒表面沉積一層金屬氧化物膜，可制備納米硅酸鋁/硅灰石、納米碳酸鈣/硅灰石、納米TiO2/多孔礦物等復(fù)合粉體材料。

5．顆粒表面改性的評(píng)價(jià)

目前顆粒表面改性效果的評(píng)價(jià)方法尚未完善和規(guī)范。表面改性效果的評(píng)價(jià)方法一般可以分為直接評(píng)價(jià)法和間接評(píng)價(jià)法。所謂直接評(píng)價(jià)法就是通過(guò)表面改性前后粉體的表面物理化學(xué)性質(zhì)和體相性質(zhì)，如潤(rùn)濕性、吸油值，分散性、黏度、表面結(jié)構(gòu)與成分、粒度大小與分布等與體相相應(yīng)性質(zhì)的變化來(lái)表征和評(píng)價(jià)顆粒表面改性的效果；間接評(píng)價(jià)法就是通過(guò)評(píng)價(jià)表面改性前后粉體在實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域中的應(yīng)用性能來(lái)評(píng)價(jià)粉體表面改性的效果。例如，用于高聚物基復(fù)合材料填料的表面改性效果，可以通過(guò)檢測(cè)填料改性前后填充的高聚物復(fù)合材料的力學(xué)性能來(lái)評(píng)價(jià)；用于電纜絕緣填料的煅燒高嶺土改性效果，可用改性前后填充絕緣材料的體積電阻率以及拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率等性能來(lái)評(píng)價(jià)；用于KJ目的的粉體的改性效果，可用其抗性能檢測(cè)結(jié)果來(lái)評(píng)價(jià)；對(duì)于顏料的表面改性可以通過(guò)其遮蓋力、著色率、色差、分散穩(wěn)定性等檢測(cè)結(jié)果來(lái)評(píng)價(jià)；對(duì)于催化劑的表面改性可以通過(guò)其催化性能來(lái)評(píng)價(jià)。由于粉體表面改性的目的性和*性很強(qiáng)，間接評(píng)價(jià)法非常重要，是評(píng)價(jià)表面改性粉體應(yīng)用價(jià)值的主要依據(jù)。

顆粒的表面改性處理是伴隨現(xiàn)代*復(fù)合材料的興起而發(fā)展起來(lái)的一個(gè)研究熱點(diǎn)。雖然它的發(fā)展歷史較短，但對(duì)于現(xiàn)代有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合材料、無(wú)機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合材料、涂料或涂層材料、吸附與催化材料、環(huán)境材料以及超細(xì)粉體和納米粉體的制備和應(yīng)用具有重要的意義。顆粒表面的性質(zhì)有時(shí)會(huì)影響到粉碎能否繼續(xù)下去，也會(huì)影響到粉體能否被應(yīng)用等重大問(wèn)題。因此，通過(guò)有目的的控制或改變顆粒表面的性質(zhì)，對(duì)顆粒的制備和應(yīng)用具有重要的影響作用。顆粒表面改性處理技術(shù)主要包括：改性處理工藝、設(shè)備、改性劑、顆粒表面功能化處理等。

1．顆粒表面改性處理工藝

顆粒表面改性處理工藝主要包括：液相法處理、干法改性處理、氣相法處理、機(jī)械力化學(xué)處理、高能輻射（包括等離子體、激光、電子束等）處理等。顆粒表面改性處理工藝按改性與顆粒制備二者的先后順序可以分為原位處理和后處理，原位處理是在顆粒粉碎或者顆粒生成的同時(shí)，就有目的地控制或改變顆粒表面的性質(zhì)。這對(duì)團(tuán)聚性高的粉體是一種有效的解決方法。

液相法改性處理工藝特點(diǎn)是顆粒分散在液相中并吸附改性劑，顆粒改性效果穩(wěn)定，改性劑在顆粒表面吸附均勻、完全，但是顆粒如果在干態(tài)下應(yīng)用，還需進(jìn)行干燥后處理，改性工藝流程復(fù)雜，成本較高。

干法改性處理工藝特點(diǎn)是顆粒在干態(tài)下進(jìn)行分散，通過(guò)噴灑改性劑或改性劑溶液，在一定溫度下使改性劑吸附在顆粒表面完成顆粒的表面改性處理。改性方法靈活，工藝簡(jiǎn)單，成本低，但在改性過(guò)程中難以對(duì)顆粒做到均一處理。

氣相法改性處理工藝特點(diǎn)是分散在氣相中的改性劑能夠均勻地吸附在顆粒表面，顆粒改性效果穩(wěn)定，與液相處理設(shè)備相比，改性后的粉體無(wú)需進(jìn)行干燥處理。但受到改性過(guò)程中氣固分離技術(shù)的限制，氣相處理設(shè)備很難對(duì)亞微米級(jí)的顆粒進(jìn)行表面改性處理。

機(jī)械力化學(xué)處理工藝特點(diǎn)是在顆粒的粉碎同時(shí)添加改性劑進(jìn)行表面改性處理，在粉體粒度減小的同時(shí)對(duì)顆粒進(jìn)行表面改性處理。由于粉碎過(guò)程中顆粒會(huì)產(chǎn)生大量高活性新生表面，并且粉碎過(guò)程中強(qiáng)烈機(jī)械作用可以對(duì)顆粒表面進(jìn)行激活，有效改善改性劑在顆粒表面的吸附。該工藝可以將顆粒粉碎與表面改性二者有機(jī)的結(jié)合在一起，簡(jiǎn)化顆粒的加工工藝流程，并能夠提高顆粒的粉碎效率及強(qiáng)化顆粒表面改性的效果。但由于改性過(guò)程中顆粒不斷被粉碎，產(chǎn)生新的表面，顆粒表面難以完全吸附改性劑。

高能輻射改性工藝特點(diǎn)是直接通過(guò)高能輻射方式改變顆粒表面的電荷量來(lái)改變顆粒表面的性質(zhì)，或者是利用高能輻射強(qiáng)化有機(jī)改性劑在顆粒表面的吸附，更好地對(duì)顆粒表面進(jìn)行改性處理。

2．顆粒表面改性處理設(shè)備

顆粒液相法改性處理設(shè)備包括：可控溫?cái)嚢璺磻?yīng)釜、可控溫?cái)嚢璺磻?yīng)罐、濕法攪拌磨等。干法改性處理設(shè)備包括間歇式的高攪機(jī)和連續(xù)式的SLG型粉體表面改性機(jī)、PSC型粉體表面改性機(jī)等。機(jī)械力化學(xué)處理設(shè)備包括一些具有粉碎效果的設(shè)備，如振動(dòng)磨、球磨機(jī)、氣流粉碎機(jī)、行星磨等具有粉碎效果的設(shè)備。氣相處理設(shè)備包括：流化床、氣流湍流顆粒分散與改性設(shè)備等。高能輻射處理設(shè)備：包括等離子體型、激光束型、電子束型等設(shè)備。

3．顆粒表面改性劑

顆粒表面改性處理主要是依靠改性劑在顆粒表面的吸附來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此，改性劑的性質(zhì)對(duì)改性后顆粒的表面性質(zhì)起著決定性的作用。目前常用的改性劑有偶聯(lián)劑（鈦酸酯偶聯(lián)劑、硅烷偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑）、表面活性劑、有機(jī)低聚物、有機(jī)硅等，其中偶聯(lián)劑是目前無(wú)機(jī)顆粒*常用的一類改性劑。偶聯(lián)劑與顆粒表面的作用機(jī)理有物理吸附理論、可逆水解平衡理論和化學(xué)鍵合理論等，其與有機(jī)基體的作用機(jī)理有化學(xué)鍵理論、浸潤(rùn)效應(yīng)理論、界面層理論（可變形層理論和約束層理論）等。

4．微/納米顆粒復(fù)合化改性

除了上述通過(guò)改性劑（主要為溶液）對(duì)顆粒表面進(jìn)行改性處理外，這幾年出現(xiàn)了很多復(fù)合功能顆粒材料。將微米/納米顆粒子粒子附著在微米顆粒母粒子表面，以改變母粒子的表面性質(zhì)、表面粗糙度、消除其尖銳的棱角、制備微納米復(fù)合顆粒是目前一種新發(fā)展的顆粒表面改性處理方法。該方法使普通顆粒材料具有新的性能和功能，在滿足需要的同時(shí)，降低功能組分的用量，提高經(jīng)濟(jì)效益。實(shí)現(xiàn)微/納米顆粒復(fù)合化改性的方法有物理方法、機(jī)械方法、化學(xué)方法等。

物理方法就是通過(guò)物理沉積的作用在顆粒表面沉積一層納米顆粒膜。如采用磁控濺射鍍膜或真空蒸鍍的方法在微顆粒表面沉積金、銀、銅、鋁、鈷、鎳等金屬顆粒膜。

機(jī)械方法就是在摩擦、研磨、沖擊、振動(dòng)和高速攪拌等機(jī)械力作用下，小顆粒與大顆粒會(huì)發(fā)生固相反應(yīng)或機(jī)械鑲嵌等作用，從而使小顆粒包覆在大顆粒表面。如采用日本奈良機(jī)械制作所開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的高速氣流沖擊式粉體表面改性設(shè)備Hybridization，進(jìn)行無(wú)機(jī)顆粒/高聚物、金屬/金屬、無(wú)機(jī)顆粒/金屬等類型的復(fù)合化改性處理，獲得了許多功能性的顆粒材料，是目前能夠進(jìn)行工業(yè)化處理的一種顆粒復(fù)合化改性方法。

化學(xué)方法就是通過(guò)一定的化學(xué)反應(yīng)在顆粒表面沉積一層顆粒膜的方法。如采用化學(xué)鍍的方法在顆粒表面包覆一層金屬鎳、銀、銅等金屬膜，采用沉淀法或溶膠凝膠法在顆粒表面沉積一層金屬氧化物膜，可制備納米硅酸鋁/硅灰石、納米碳酸鈣/硅灰石、納米TiO2/多孔礦物等復(fù)合粉體材料。

5．顆粒表面改性的評(píng)價(jià)

目前顆粒表面改性效果的評(píng)價(jià)方法尚未完善和規(guī)范。表面改性效果的評(píng)價(jià)方法一般可以分為直接評(píng)價(jià)法和間接評(píng)價(jià)法。所謂直接評(píng)價(jià)法就是通過(guò)表面改性前后粉體的表面物理化學(xué)性質(zhì)和體相性質(zhì)，如潤(rùn)濕性、吸油值，分散性、黏度、表面結(jié)構(gòu)與成分、粒度大小與分布等與體相相應(yīng)性質(zhì)的變化來(lái)表征和評(píng)價(jià)顆粒表面改性的效果；間接評(píng)價(jià)法就是通過(guò)評(píng)價(jià)表面改性前后粉體在實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域中的應(yīng)用性能來(lái)評(píng)價(jià)粉體表面改性的效果。例如，用于高聚物基復(fù)合材料填料的表面改性效果，可以通過(guò)檢測(cè)填料改性前后填充的高聚物復(fù)合材料的力學(xué)性能來(lái)評(píng)價(jià)；用于電纜絕緣填料的煅燒高嶺土改性效果，可用改性前后填充絕緣材料的體積電阻率以及拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率等性能來(lái)評(píng)價(jià)；用于KJ目的的粉體的改性效果，可用其KJ性能檢測(cè)結(jié)果來(lái)評(píng)價(jià)；對(duì)于顏料的表面改性可以通過(guò)其遮蓋力、著色率、色差、分散穩(wěn)定性等檢測(cè)結(jié)果來(lái)評(píng)價(jià)；對(duì)于催化劑的表面改性可以通過(guò)其催化性能來(lái)評(píng)價(jià)。由于粉體表面改性的目的性和*性很強(qiáng)，間接評(píng)價(jià)法非常重要，是評(píng)價(jià)表面改性粉體應(yīng)用價(jià)值的主要依據(jù)。

晶圓代工迎來(lái)新的黃金期

近期，以臺(tái)積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注，原因在于它們2020年diyi季度的財(cái)報(bào)。與各大IDM和Fablessdiyi和第二季度低迷的財(cái)報(bào)或財(cái)測(cè)不同，臺(tái)積電、聯(lián)電和中芯國(guó)際這三大晶圓代工廠的業(yè)績(jī)十分亮眼，與當(dāng)下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的負(fù)面影響形成了鮮明的對(duì)比。看來(lái)，晶圓代工（Foundry）這種商業(yè)模式確有其過(guò)人之處。

2019年10月，DIGITIMES Research預(yù)估 2019至2024年晶圓代工產(chǎn)值年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)有望達(dá)到5.3%。而突如其來(lái)的疫情肯定會(huì)拉低這一預(yù)估，不過(guò)，臺(tái)積電對(duì)外展現(xiàn)出了較為樂(lè)觀的態(tài)度，該公司認(rèn)為，2019至2024年，不含存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體業(yè)年復(fù)合增長(zhǎng)率有望達(dá)到5%，而晶圓代工業(yè)的增長(zhǎng)幅度將比整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)要高一些。不過(guò)，受到疫情影響，2020年半導(dǎo)體業(yè)將呈現(xiàn)同比負(fù)增長(zhǎng)，這已經(jīng)成為行業(yè)普遍共識(shí)。而在這樣低迷的經(jīng)濟(jì)環(huán)境下，臺(tái)積電預(yù)計(jì)其全年的營(yíng)收將實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)15%左右，這是一個(gè)很亮眼的數(shù)字了。
晶圓代工業(yè)之所以能夠逆勢(shì)增長(zhǎng)，首先是由其自身的商業(yè)模式?jīng)Q定的。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，是不存在IC設(shè)計(jì)和制造分工的，只有一種IDM模式，隨著市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，一些規(guī)模較小的廠商，因?yàn)樨?cái)力有限，無(wú)法負(fù)擔(dān)自有晶圓廠，因此，就會(huì)把設(shè)計(jì)的芯片交給實(shí)力較為雄厚的IDM制造，這是Z早的代工模型。然而，早期在ZL保護(hù)意識(shí)缺乏的情況下，將設(shè)計(jì)出來(lái)的芯片交給其他IDM制造，存在著較大的產(chǎn)品安全風(fēng)險(xiǎn)，即競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很可能會(huì)掌握你的芯片信息。
這樣，晶圓代工模式應(yīng)運(yùn)而生，1987年，臺(tái)積電創(chuàng)建，開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)新的時(shí)代。自那以后，隨著市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，無(wú)晶圓廠的Fabless數(shù)量逐年增加，給晶圓代工廠帶來(lái)了滾滾財(cái)源，也因此，更多的Foundry涌現(xiàn)出來(lái)，不過(guò)，與越來(lái)越多的Fabless數(shù)量相比，F(xiàn)oundry的數(shù)量還是相對(duì)有限的，直到今天依然如此。畢竟，由于重資產(chǎn)和高技術(shù)密集的特點(diǎn)，籌建一家Foundry的難度要遠(yuǎn)大于Fabless。
對(duì)于Foundry來(lái)說(shuō)，由于長(zhǎng)期專注于晶圓代工業(yè)務(wù)，且給自己的定位明確，并能持之以恒；另外，這種商業(yè)模式的多客戶、多產(chǎn)品線、多制程特點(diǎn)，比IDM和Fabless更加厚重且多元，某種程度上，其抗風(fēng)險(xiǎn)能力更強(qiáng)。
除了自身特點(diǎn)之外，晶圓代工廠能夠交出亮眼的業(yè)績(jī)，且在未來(lái)幾年內(nèi)的年復(fù)合增長(zhǎng)率大概率會(huì)高于全行業(yè)平均水平，還有多種市場(chǎng)因素，主要包括以下三點(diǎn)：終端設(shè)備的芯片元器件用量逐年提升；IDM芯片制造外包業(yè)務(wù)增加；設(shè)備和互聯(lián)網(wǎng)廠商自研芯片增加。這三大增量市場(chǎng)內(nèi)的芯片大都需要交給晶圓代工廠生產(chǎn)，因此，未來(lái)幾年Foundry的業(yè)績(jī)很值得期待。

 塑膠粒子水分、塑料原料含水率、塑膠顆粒含水量該如何檢測(cè)？生產(chǎn)過(guò)程中塑料粒子中的水分通常需要檢測(cè)，塑料粒子是用來(lái)生產(chǎn)和注塑塑料制品的原料，廣泛應(yīng)用于各類塑料制品。塑料粒子的產(chǎn)品質(zhì)量、色澤及表面水分，直接影響塑料粒子的注塑后塑料制品的質(zhì)量。特別是塑料粒子的表面水分是影響其產(chǎn)品的重要因素。由于注塑過(guò)程是一個(gè)高溫成型的過(guò)程，如果粒子表面含有一定水分，在高溫成型過(guò)程中，表面的水分就會(huì)氣化產(chǎn)生氣泡。而存在于塑料制品內(nèi)部，也有可能造成塑料制品厚薄不均勻，從而影響塑料制品的外觀及強(qiáng)度。所以實(shí)際測(cè)定粒子表面的水分含量成為塑料粒子及塑料制品一道關(guān)鍵程序。因此水分含量的控制對(duì)于生產(chǎn)高質(zhì)量的塑料產(chǎn)品是至關(guān)重要的。

 采用烘箱加熱檢測(cè)，檢測(cè)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，需要人工計(jì)算，測(cè)量誤差較大。采用紅外或者鹵素水分測(cè)定儀加熱失重檢測(cè)，在檢測(cè)過(guò)程揮發(fā)性的溶劑和有機(jī)組分也會(huì)隨之揮發(fā)，水分檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。而采用卡爾費(fèi)休卡氏加熱爐水分測(cè)定儀檢測(cè)速度快、操作簡(jiǎn)單、結(jié)果準(zhǔn)確。

 AKF-PL2015C可廣泛應(yīng)用于一切需要快速測(cè)定的PP塑膠、 PE塑膠、 PVC塑膠、 PS塑膠、 PA塑膠、PC塑膠、PET塑膠、  PPS塑膠、 塑膠助劑、 塑膠原料 、聚苯乙烯 丙烯腈 、聚酰胺、聚丙烯、聚碳酸酯、塑膠粒子、塑膠顆粒、塑料粒子、塑料顆粒中的水分含量。

牛膝配方顆粒

　　本品為莧科植物牛膝 Achyranthes bidentata Bl.的干燥根經(jīng)炮制并按標(biāo)準(zhǔn)湯劑的主要質(zhì)量指標(biāo)加工制成的配方顆粒。 

　　2021年4月29日，國(guó)家藥典委員會(huì)發(fā)布《關(guān)于執(zhí)行中藥配方顆粒國(guó)家藥品標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)事項(xiàng)的通知》：經(jīng)國(guó)家藥品監(jiān)督管理局批準(zhǔn)，首批160個(gè)中藥配方顆粒國(guó)家藥品標(biāo)準(zhǔn)已正式頒布，將于2021年11月1日正式實(shí)施。

　　迪馬科技依據(jù)國(guó)家藥品標(biāo)準(zhǔn)YBZ-PFKL-2021098，重現(xiàn)了牛膝配方顆粒的檢測(cè)方案，可供大家參考。

一、特征圖譜

1.樣品制備

參照物溶液  取牛膝對(duì)照藥材1.0g，加水20mL，煮沸30分鐘，過(guò)濾，濾液蒸干，加水10mL，超聲處理20分鐘，放冷，搖勻，濾過(guò)，取續(xù)濾液，作為對(duì)照藥材參照物溶液。另取β-蛻皮甾酮對(duì)照品適量，精密稱定，加甲醇制成每1mL含25μg的溶液，作為對(duì)照品參照物溶液。

供試品溶液  取本品適量，研細(xì)，取約0.2 g，精密稱定，置具塞錐形瓶中，精密加入水10mL，稱定重量，超聲處理20分鐘，放冷，再稱定重量，用水補(bǔ)足減失的重量，搖勻，濾過(guò)，取續(xù)濾液，即得。

2.分析條件

色譜柱：Navigatorsil C18，2.1mm×100mm，2.7μm（Cat#88003）

流動(dòng)相：A-乙腈 B-0.05%甲酸溶液

流速：0.3mL/min

進(jìn)樣量：1μL

柱溫：40℃

檢測(cè)波長(zhǎng)：270nm

3.實(shí)驗(yàn)圖譜

4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果

使用色譜柱Navigatorsil C18，2.1mm×100mm，2.7μm（Cat#88003）檢測(cè)牛膝配方顆粒，供試品色譜中呈現(xiàn)4個(gè)特征峰，并與對(duì)照藥材參照物色譜中的4個(gè)特征峰保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)；計(jì)算各特征峰與S峰（β-蛻皮甾酮峰）的相對(duì)保留時(shí)間分別為0.210（峰1）、1.033（峰3）、1.056（峰4），均在規(guī)定值±10%范圍內(nèi)；計(jì)算峰4與峰3的相對(duì)峰面積為1.7，符合方法要求。

二、含量測(cè)定

1.樣品制備

對(duì)照品溶液  取β-蛻皮甾酮對(duì)照品適量，精密稱定，加甲醇制成每1mL含10μg的溶液，即得。

供試品溶液  取本品適量，研細(xì)，取約0.2g，精密稱定，置具塞錐形瓶中，精密加入水10mL，稱定重量，超聲處理20分鐘，放冷，再稱定重量，用水補(bǔ)足減失的重量，搖勻，濾過(guò)，取續(xù)濾液，即得。

2.分析條件

色譜柱：Endeavorsil C18，2.1mm×100mm，1.8μm（Cat#87003）

流動(dòng)相：乙腈-水-甲酸（16︰84︰0.1）

流速：0.3mL/min

進(jìn)樣量：1μL

柱溫：35℃

檢測(cè)波長(zhǎng)：250nm

3.實(shí)驗(yàn)圖譜

4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果

經(jīng)測(cè)定本品每1g含β-蛻皮甾酮（C27H44O7）的含量為0.72mg，在方法規(guī)定的范圍內(nèi)（0.39mg~1.17mg）。

 一．產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

6、彩色大屏幕人機(jī)界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換

8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

    自動(dòng)上料→去離子水+超聲波清洗+振動(dòng)篩拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→自動(dòng)下料