- 2025-11-07 10:41:00等離子刻蝕機
- 等離子刻蝕機是利用等離子體進行材料表面處理的設備。其基本原理是：通過氣體放電產生等離子體，利用等離子體中的活性粒子與材料表面發生物理或化學反應，達到刻蝕、去污、改性等目的。等離子刻蝕機廣泛應用于半導體制造、微納加工、材料科學等領域，用于精確加工微小結構，具有高精度、高效率、低損傷等優點。
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等離子刻蝕機資訊
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- 熱烈祝賀超邁大型等離子噴涂線正式建成投產，標志著我司從原子級到納米級，到微米級功能薄膜設備和工藝完全自主可控，通過引進設備，今天也實現了超大尺寸零件微米，毫米級功能薄膜投產！
等離子刻蝕機文章
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- 技術特性：物理與化學協同的納米級操控 等離子體刻蝕通過高能等離子體與材料表面的物理轟擊和化學反應，實現原子級精度的材料去除。
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等離子刻蝕機問答
- 2022-08-16 21:44:30福州大學離子束刻蝕機順利驗收
- 福州大學離子束刻蝕機順利驗收烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設備安裝調試服務。首站福州大學，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗收NIE-3500型離子束刻蝕機！性能配置：離子束刻蝕機用于刻蝕金屬和介質，z大可支持6”晶圓。配套美國考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V。刻蝕速率：~250A/min對Au；刻蝕均勻度：對4”片，片內均勻性優于±3%，重復性優于±3%。樣品臺可旋轉，轉速0-30RPM精確可控；可任意角度傾斜，支持斜齒刻蝕；帶水冷功能，刻蝕后易去除光刻膠。極限真空12小時可達6x10-7Torr，15分鐘可達10-6Torr量級的真空；采用雙真空計，長期可靠，使用穩定。14”不銹鋼立方腔體，配套一臺主控計算機，20”觸摸屏監控，配合Labview軟件，實現計算機全自動工藝控制，并可在電源中斷情況下安全恢復；完全的安全聯鎖；支持百級超凈間使用。驗收培訓：安裝調試視頻：
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- 2023-03-14 12:04:54等離子去膠機（Plasma Cleaner）
- 等離子去膠機（Plasma Cleaner） 為何要去除光刻膠？在現代半導體生產過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉移和保護層的功能，通過去膠工藝進行完全清除。光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環節，光刻膠是否徹底去除干凈、對樣片是否有造成損傷，都會直接影響后續集成電路芯片制造工藝效果。 半導體光刻膠去除工藝有哪些？半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據去膠介質的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠徹底且速度快，是現有去膠工藝中zui好的方式。 一、等離子去膠機簡述：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，使有機聚合物被氧化成水蒸汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者剝離。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。當然我們需要注意的是，這里并不是說氧等離子去膠工藝100%好于濕法去膠，同時也不是所有的光刻膠都適用于氧等離子去膠，以下幾種情形我們需要注意：① 部分穩定性極高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應氣體，有時候我們也需要其他氣體參與；② 涂膠后形成類非晶態二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構成并不是單純的碳氫氧，所以是無法使用氧等離子去膠機來實現去膠；③ 當我們的樣品中有其他需要保留的結構層本身就是有機聚合物構成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會在氧等離子下發生損傷；④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結構層，氧等離子去膠過程，這些材料也會被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料； 市面上常見氧等離子去膠機按照頻率可分為微波等離子去膠機和射頻等離子去膠機兩種，微波等離子去膠機的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對襯底的刻蝕效應更小，也意味著去膠過程中對襯底無損傷，而射頻等離子去膠機其工作原理與刻蝕機相似，結構上更加簡單。因此，在光電器件的加工中，去膠機的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機。 二、等離子清洗去膠機的工作原理：氧氣是干式等離子體脫膠技術中的首要腐蝕氣體。它在真空等離子體脫膠機反應室內高頻和微波能的作用下，電離產生氧離子、自由氧原子O*、氧分子和電子混合的等離子體，其間氧化能力強的自由氧原子（約10-20%）在高頻電壓作用下與光刻膠膜發生反應：O2→O*+O*，CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。反應后產生的CO2和H2O然后被抽走。 三、等離子去膠機的優勢：1、等離子清洗機的加工過程易于控制、可重復且易于自動化；使用等離子掃膠機可以使得清洗效率獲得更大的提高。整個清洗工藝流程幾分鐘內即可完成，因此具有產率高的特點2、等離子掃膠機清洗對象經等離子清洗之后是干燥的，不需要再經干燥處理即可送往下一道工序，可以提高整個工藝流水線的處理效率；3、等離子掃膠機使得用戶可以遠離有害溶劑對人體的傷害，同時也避免了濕法清洗中容易洗壞清洗對象的問題；4、避免使用ODS有害溶劑，這樣清洗后不會產生有害污染物，因此這種清洗方法屬于環保的綠色清洗方法；5、等離子去膠機采用無線電波范圍的高頻產生的等離子體與激光等直射光線不同，等離子體的方向性不強，這使得它可以深入到物體的微細孔眼和凹陷的內部完成清洗任務，因此不需要過多考慮被清洗物體的形狀；6、等離子去膠機在完成清洗去污的同時，還可以改良材料本身的表面性能，如提高表面的潤濕性能、改良膜的黏著力等，這在許多應用中都是非常重要的。 四、等離子去膠的主要影響因素：頻率選擇：頻率越高，氧越易電離形成等離子體。頻率太高，以至電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子碰撞幾率反而減少，使電離率降低。一般常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。功率影響：對于一定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到一定值，反應所能消耗的活性離子達到飽和，功率再大，去膠速度則無明顯增加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據工藝需要調節功率。真空度的選擇：適當提高真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場獲得的能量就大，有利電離。另外當氧氣流量一定時，真空度越高，則氧的相對比例就大，產生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。氧氣流量的影響：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加快；但流量太大，則離子的復合幾率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而下降。若反應室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也增加，其中尚沒參加反應的活性粒子抽出量也隨之增加， 因此流量增加對去膠速率的影響也就不甚明顯。 五、等離子去膠機的應用：1、光刻膠的去除、剝離或灰化2、SU-8的去除/ 犧牲層的去除3、有機高分子聚合物的去除4、等離子去除殘膠/去浮渣/打底膜5、失效分析中的扁平化處理6、表面沾污清除和內腐蝕（深腐蝕）應用7、清洗微電子元件，電路板上的鉆孔或銅線框架8、剝離金屬化工藝前去除浮渣9、提高黏附性，消除鍵合問題10、塑料的表面改型：O2處理以改進涂覆性能11、產生親水或疏水表面
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- 2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術研究
- 離子束刻蝕（IBE）技術研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的作用。刻蝕過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側壁輪廓，優化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結構形貌。另外傾斜結構可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨特能力來實現。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對樣品臺進行冷卻處理，使整個刻蝕過程中溫度控制在一個比較好的范圍。 圖1 離子束刻蝕設備結構圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、聚合物、陶瓷、紅外和超導等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優勢明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術的優點和缺點？a 優點： （1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高； （2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達0.01um； （3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）； （4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結構；b 缺點： （1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低； （2）難以完成晶片的深刻蝕； （3）屬于物理刻蝕，常常會有過刻的現象。 4.反應離子束刻蝕（RIBE）技術簡介及優點？反應離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對樣品的化學反應能力（反應離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態的化學輔助刻蝕能力（化學輔助離子束刻蝕：CAIBE），對適用于化學輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示 典型應用：1、三族和四族光學零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測熱式微流體傳感器
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- 2022-12-13 18:01:10一文讀懂ICP刻蝕技術
- ICP刻蝕技術電感耦合等離子體刻蝕（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蝕工作原理是：用高頻火花引燃時，部分Ar工作氣體被電離，產生的電子和氬離子在高頻電磁場中被加速，它們與中性原子碰撞，使更多的工作氣體電離，形成等離子體氣體。導電的等離子體氣體在磁場作用下感生出的強大的感生電流產生大量的熱能又將等離子體加熱，使其溫度達到1×10^4K，形成ICP放電。電感耦合等離子體刻蝕是物理過程和化學過程共同作用的結果，在真空低氣壓下，ICP射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例混合的氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極RF射頻作用下，這些等離子對基片表面進行轟擊，基片材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體反應生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。 ICP刻蝕的優勢：ICP刻蝕技術具有刻蝕速率快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面輪廓可控性高和刻蝕表面平整光滑等優點；ICP刻蝕設備結構簡單、外形小、操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕。近年來，ICP刻蝕技術被廣泛應用在硅、二氧化硅、III-V族化合物、金屬等材料的刻蝕上 ICP刻蝕相比RIE刻蝕的優勢 ICP刻蝕設備的一般構造 電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機包括兩套通過自動匹配網絡控制的13.56MHz 射頻電源，一套連接纏繞在腔室外的螺線圈，使線圈產生感應耦合的電場， 在電場作用下， 刻蝕氣體輝光放電產生高密度等離子體。功率的大小直接影響等離子體的電離率， 從而影響等離子體的密度。第二套射頻電源連接在腔室內下方的電極上，主要為等離子提供能量。這樣兩套RF電源的配置，使得在低離子能量條件下，可以增加離子密度，從而提高刻蝕速率的同時，保證對晶片的損傷降到最低。 刻蝕的基本要求（1）負載效應刻蝕中還存在負載效應，即發生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負載效應和微觀負載效應。刻蝕面積很大時，因為氣體傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會較慢，這稱為宏觀負載效應。在微細圖形的局部區域內， 被刻蝕材料的密度過高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負載效應。 （2）圖形保真度設橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：A=1，表示圖形轉移中沒有失真， 刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴重，刻蝕為各向同性。（3）均勻性在材料制備時， 薄膜厚度一般有一定的不均勻性， 而刻蝕時同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會造成圖形轉移的不均勻。刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設備的硬件參數， 如反應室的設置， 氣流， 離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數的影響。對于大襯底的刻蝕， 如果刻蝕時間不夠， 膜厚處沒有刻蝕完全；但是刻蝕時間太長，膜薄處會造成過刻蝕，實際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料， 這樣可以加長刻蝕時間， 保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會造成明顯的過刻蝕。除了同一樣片不同位置的均勻性問題， 同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱重復性）也很重要。重復性與反應室的狀況有很大的關聯性。（4）表面形貌一般情況下， 刻蝕后的表面形貌都希望側壁陡直光滑， 刻蝕地面平滑。但對于不同的器件有時也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結構等。（5）刻蝕的清潔刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現重金屬沾污也會造成漏電。對于干法刻蝕，刻蝕表面還會出現聚合物的再淀積。 等離子刻蝕的基本過程等離子體刻蝕有四種基本的過程，他們分別是物理濺射刻蝕（Sputtering）、純化學刻蝕（Chemical）、離子增強刻蝕（Ion enhanced energetic）、側壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）。1) 物理濺射刻蝕（Sputtering）濺射工藝是以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。等離子體所提供的離子能量約為幾百eV，一般來說會高于濺射產生的閾值（幾十eV）。在等離子提供的能量范圍內，濺射率隨著離子本身能量的增大而急劇增加。不同材料的濺射速率在離子能量一定的情況下相差不大，因此濺射是純物理的過程，這個過程選擇性差，速率低。但是物理濺射刻蝕，離子轟擊具有很強的方向性，使得被刻蝕材料具有很好的各向異性。2) 純化學刻蝕（Chemical）在純化學刻蝕中，等離子體提供中性的活性基團，這些活性基團與薄膜表面發生化學反應，生成相應的氣相產物。如刻蝕Si材料常用F基氣體，因為會生成易揮發的SiF4.化學刻蝕是各項同性的，活性基團會以近似角分布到達被刻蝕材料表面，反應過程中反應產物必須是可揮發的。一般來說化學刻蝕可以獲得高的速率以及選擇比。3) 離子增強刻蝕（Ion enhanced energetic）離子增強刻蝕是物理濺射和化學刻蝕互相結合的工藝方式。物理濺射中物理轟擊的作用可以大大增強薄膜表面的化學反應的活性，刻蝕的效果相較單一的物理和化學刻蝕，效果顯著。等離子體既提供了粒子通量又賦予離子能量。4) 側壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）這種刻蝕方式主要應用于深刻蝕，如Bosch工藝，深硅刻蝕運用分子量較大的鈍化氣體C4F8與SF6搭配，刻蝕和鈍化交替進行，實現側壁垂直的深刻蝕工藝。 影響刻蝕效果的因素ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應室內壁的情況對刻蝕結果也有很重要的影響。1.掩膜的影響ICP 刻蝕是圖形轉移的過程，因此掩膜的制備對刻蝕非常重要。最常見的掩膜是光刻膠(Photoresist.PR)、SiO2和金屬(如A1、Ni等)。一個好的掩膜要求陡直度較高，邊緣光滑。底部去除干凈無殘留，抗高溫和抗轟擊能力強。掩膜的陡直度和邊緣的光滑程度直接影響刻蝕剖面的陡直度和側壁的光滑程度。雖然可以通過工藝參數的調整改善刻蝕形貌，但是效果遠不如掩膜質量的改善。因此高質量的光刻技術對刻蝕非常重要。(1)幾乎所有的掩膜制備都需要由光刻制備，光刻膠掩膜的制備最容易，精度也最高。但是，光刻膠的抗高溫和抗轟擊能力很差，只能用于低溫工藝，通常選擇比也較低。(2)硬掩膜SIO2 和金屬等硬掩膜一般需要光刻膠圖形的二次轉移，圖形精度會有所損失。但是它們的抗高溫和抗轟擊能力很好，選擇比高，可以刻蝕更深的深度。2.工藝參數的影響(1)ICP Power 源功率這個功率源的主要作用是產生高密度等離子體，控制離子通量。功率增加時，離子和活性基密度增加，刻蝕速率也增加。一般情況下，選擇比也會增加。但過高時，均勻性會下降。同時，源功率增加會帶給襯底更多的熱負荷，襯底溫度會明顯升高，對于需要低溫的工藝影響較大，需要更好的溫控系統。(2)RF Power 偏壓功率偏壓功率源主要作用是控制離子轟擊能量。對刻蝕速率和臺階角度影響很大。偏壓功率增加，刻蝕速率明顯增加。但是同時對掩膜的刻蝕也明顯增加，可能導致選擇比下降，臺階形貌變差。偏壓功率過高有時會在臺階底部形成“trenching”溝槽。(3)工作氣壓ICP 刻蝕的工作氣壓一般都小于 50mTorr，典型值在幾個 mTorr 至十幾mTorr。在這樣的低氣壓條件下，粒子的平均自由程很長，方向性好，離子轟擊作用也較強。同時，低氣壓也有利于揮發性刻蝕產物的解吸附，易獲得好的刻蝕結果。氣壓對均勻性影響很大，氣壓減小時均勻性更好。因此，氣壓減小，刻蝕的各向異性增加，均勻性和臺階角度會更好。氣壓對刻蝕速率的影響隨刻蝕材料和氣體的不同而有明顯的差異。對于化學作用較強的工藝，如 GaAs 的刻蝕，氣壓較大時因為活性基和離子密度增加，刻蝕速率和選擇比會有較大增加。而對物理作用較強的工藝，如 SiO2 的刻蝕，氣壓增加時刻飩速率變化不大。(4)氣體成分和流量等離子體刻蝕中經常使用含多種成分的混合氣體。這些氣體大體可分為三類。第一類是主要刻蝕反應氣體，與被刻蝕材料發生化學反應生成揮發性產物。如 CI2、CF4、SF6 等。第二類是起抑制作用的氣體,可以在側壁形成阻擋層,實現高的各向異性刻蝕,如 CHF3、 BCl3、SiCI4、CH4等。第三類是起稀釋或特殊作用的惰性氣體，如 Ar、He、N2 等。可以增強等離子體的穩定性，改善刻蝕均勻性，或增加離子轟擊作用在(如 Ar)來提高各向異性和提高選擇比(如 H2、O2)等。為了實現不同的刻蝕結果，平衡每一類氣體的作用(選用合適的流量比)非常重要。如果需要獲得較高的刻鐘速率,應選擇和被刻蝕材料反應積極并目生成物非常易干揮發的反應類氣體，同時可以適當提高其百分比濃度。但是，如果是被刻蝕層偏薄，對下層材料的選擇出又較低的情況，常常提高抑制氣體和稀釋氣體的比例來降低刻蝕速露，以實現對刻鐘終點的精確控制。(5)溫度溫度對刻蝕速率的影響主要體現在化學反應速率的變化。因此為了保證刻蝕速率的均勻性和重復性，必須精確的控制襯底溫度。高溫可以促進化學反應的進行，同時也有利于揮發性產物的解吸附。對于刻蝕生成物揮發溫度較高的工藝，如 InP的刻蝕，高溫會帶來有利的影響，但是對于以光刻膠為掩膜的低溫工藝來說，溫度必須控制在較低的水平。溫度過高時光刻膠會軟化變形，造成刻蝕圖形的偏差。嚴重時光刻膠會碳化，導致刻蝕后很難去除。如果必須使用較高的襯底溫度，需要改為 SiO2、金屬等硬掩膜。外加功率在很大程度上會轉化為熱量。對于ICP 這種等離子體，功率一般很高，反應中襯底溫升很快。如果工藝對溫度非常敏感，在參數設置時應更加注意。
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- 2022-08-25 11:12:04揭秘遠程微波等離子去膠機
- NPC-3500型微波等離子去膠機微波等離子去膠機工作原理：為了產生等離子，系統使用遠程微波源。氧在真空環境下受高頻及微波能量作用，電離產生具有強氧化能力的游離態氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應，反應后生成的 CO2 和 H2O 通過真空系統被抽走。CF4 氣體可以達到更快速的去膠速率，尤其對于難以去除的光刻膠也具備出色的去除能力。在微波等離子體氛圍中，活性氣體被等離子化，將跟光刻膠產生化學反應，反應生產的化合物通過真空泵被快速抽走，可以達到高效的去膠效果。該去膠機微波源為遠程微波源，轟擊性的離子將被過濾掉之后微波等離子進入到工藝腔室參與反應，因此可以實現無損的去膠。微波等離子去膠機主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機或無機物，而無殘留；去膠渣、深刻蝕應用；半導體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產中等離子體預處理；太陽能電池生產中邊緣絕緣和制絨；先進晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預處理；NANO-MASTER微波等離子去膠機系統優勢：1）Downstream結構，等離子分布均勻；2）遠程微波，無損傷；3）遠程微波，支持金屬材質；4）批處理，一次可支持1-25片；5）微波等離子，可以深入1um以內的孔隙進行清洗；6）光刻膠去除的方式為化學方式，而非物理轟擊，可實現等離子360度全方位的分布；7）旋轉樣品臺，進一步提高去膠的均勻性。8) 腔體內無電極，更高潔凈度；9）微波波段無紫外排放，操作更安全；10）高電子密度，去膠效率高。
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