魔技納米高性能無掩膜光刻設備UV-Ultra應用領域

魔技納米在無掩膜光刻領域推出的UV-Ultra系列，定位于實驗室研究、工藝開發以及小批量直寫生產線的高分辨率光刻解決方案。該設備以數字化無掩膜曝光為核心，結合高對比度UV投影、精密載物臺和自校準算法，為微納結構的直接寫入提供穩定的重復性與可追溯性。系統支持可選波長、可擴展工作臺尺寸和多路并行曝光，是從初步工藝探索到放大驗證的橋梁。

型號與參數一覽

• UVU-Basics

  
  

• 波長/光源：405 nm

  
  

• 分辨率：約1.2 μm

  
  

• 曝光能量密度：5–25 mJ/cm2

  
  

• 工作臺尺寸與可覆蓋區域：200 × 200 mm

  
  

• 載物臺定位精度：≤1.0 μm

  
  

• 對位重復性：±0.8 μm

  
  

• 功耗與冷卻：約600 W，閉環風冷

  
  

• 吞吐量：1.0–1.5 wafers/day（4英寸標準晶圓）

  
  

• 兼容光刻膠類型：正膠、負膠兩類，現成工藝庫

  
  

• 軟件與控制：圖形化Pattern Editor，GDSII導入與直接寫入

  
  

• UVU-Standard

  
  

• 波長/光源：365 nm

  
  

• 分辨率：約0.9 μm

  
  

• 曝光能量密度：2–40 mJ/cm2

  
  

• 工作臺尺寸：230 × 230 mm

  
  

• 載物臺定位精度：≤0.8 μm

  
  

• 對位重復性：±0.6 μm

  
  

• 功耗與冷卻：約850 W，風冷/水冷混合

  
  

• 吞吐量：3–6 wafers/day（4英寸與部分6英寸結合工藝）

  
  

• 兼容性與擴展：自動對準、抗熱漂移算法，支持多分辨率柵格

  
  

• 軟件與控制：離線仿真、參數化工藝模板、GDSII/STEP集成

  
  

• UVU-Pro

  
  

• 波長/光源：355/365/405 nm 可選

  
  

• 分辨率：約0.6 μm

  
  

• 曝光能量密度：1–50 mJ/cm2

  
  

• 工作臺尺寸：320 × 320 mm

  
  

• 載物臺定位精度：≤0.5 μm

  
  

• 對位重復性：±0.4 μm

  
  

• 功耗與冷卻：約1.2 kW，液冷+高效熱管理

  
  

• 吞吐量：8–12 wafers/day（4–6英寸綜合線）

  
  

• 高級特性：多束曝光、內置オンライン計量、對比度增強功能

  
  

• 軟件與控制：腳本化工藝、AI輔助對位校正、數據庫驅動工藝

  
  

應用領域與場景化優勢

• 微流控與生物芯片：微通道、孔徑和表面改性結構的直接寫入，減少掩模制程環節，縮短開發周期。
• MEMS與微機電：金屬薄膜與絕緣層的高分辨率圖形化，適于傳感元件陣列與結構件的直接成像。
• 光電與顯示前驅工藝：微透鏡陣列、柵格化反射結構、薄膜電極圖案化，提升工藝迭代速度。
• 先進封裝前道：BGA與微型封裝席位的引線網格直接寫入，降低掩模成本與風險。
• 柔性電子與OLED初期結構：柔性基底上小面積圖形化，快速驗證新材料的曝光響應。

關鍵特性對比要點

• 無掩膜優勢：快速切換設計與工藝參數，減少制程等待時間，降低初期成本。
• 波長與分辨率的折衷：365 nm/355 nm可實現0.6–0.9 μm級分辨率，405 nm適合高對比度正負膠，選擇要結合材料耐受與工藝窗口。
• 自動對準與場景自適應：Pro版具備多點自校準和熱漂移補償，適用于變換工藝或多材料體系。
• 軟件生態：Pattern Editor與GDSII對接確保設計向量的無縫轉化，支持批量化工藝模板管理與追溯。
• 設備集成性：標準模塊化結構便于與現有光刻、刻蝕、顯影等后段設備組合成小型試產線。

場景化FAQ

• 問：UV-Ultra 適合哪些材料與膠種？ 答：對正膠、負膠均有良好適應性，推薦在565–405 nm波段之間測試材料的曝光能量曲線，優先選用熱穩定性好的光刻膠和耐刻蝕性良好的底材。對于低粘度樹脂，需優化曝光密度以控制分辨率與輪廓。

  
  

• 問：我需要從0.8 μm提升到0.6 μm分辨率，該如何選擇？ 答：若工藝窗口允許，選用UVU-Pro可實現更細的線寬與更好的對位，且其多波段選擇有利于材料的曝光響應差異化控制。

  
  

• 問：不同晶圓尺寸的產線如何配置？ 答：基礎與標準版可覆蓋4英寸到6英寸的靜態成像需求，Pro版提供更大工作臺與并行曝光能力，適合小批量的6英寸甚至定制化的8英寸前期開發線。

  
  

• 問：設備維護與工藝追溯如何保障？ 答：全設備自帶自檢模塊、在線對比分析和日志追溯，工藝模板與參數版本控制清晰，符合實驗室質量體系的追蹤要求。

  
  

• 問：與傳統掩模光刻相比，成本和時間收益如何評估？ 答：對于短周期、新材料與需要快速迭代的場景，去掩膜成本和時間投入顯著下降，尤其是在早期工藝探索、材料篩選與小批量試產階段，能夠顯著縮短開發周期。