PHI X-tool 飛行時間二次離子質譜儀

產品介紹：

一束高能初級離子轟擊樣品表面激發出原子和分子碎片
只一小部分激發出的粒子以離子的狀態離開表面，被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%

Excitation Process激發過程

離子產生和表面靈敏度

一束高能初級離子轟擊樣品表面激發出原子和分子碎片 

只一小部分激發出的粒子以離子的狀態離開表面，被質量分析器探測出來

對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%

對于有機材料，原子和分子離子碎片百分含量可以從 .001% 到 1%

只從表面2個分子層激發出的粒子可以以離子態離開表面

TOF-SIMS 主要功能

采集離子質譜圖用于表面元素（原子離子），同位素，分子化學結構（通過分子離子碎片）的表征

點或面掃描（2D成像）得到成分分布像，觀察不同成分在同一條線或面的分布情況

深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結構和成分深度分布信息：多層膜層結構表征，成分摻雜深度，擴散，吸附等表征

應用實例：

• 所有元素探測– H, He, Li, etc. （H~U)

• 同位素的探測 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.

• 詳細的分子信息 – 有機和無機

• 分子成像 

• 平行探測–圖像中每一像素點都有對應的全質譜

• 表面靈敏 – 樣品表面 1-3 個原子 /分子層

• 痕量分析靈敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子濃度

• 快速數據采集 – 通常 1 – 15 分鐘 (表面 IMS)

• 高空間分辨率

• < 70 nm （成像模式下）

• < 0.5 μm  （保持較好質量分辨率下）

•  表面物理形貌信息 

•  離子擊發出的 SEI （二次電子像） < 60 nm

•  大的立體接收角 ~ 180o

• 可分析所有材料 – 導體，半導體和絕緣材料

技術參數：