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2025-03-15 20:23:30直寫光刻機(jī): 直寫光刻機(jī)是一種先進(jìn)的光刻設(shè)備，無(wú)需使用掩模版，能直接按照計(jì)算機(jī)中設(shè)計(jì)的圖形，將微細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到材料表面。它通過(guò)激光束或其他光源直接在材料上進(jìn)行圖案刻寫，實(shí)現(xiàn)高分辨率、高效率的圖形制造。直寫光刻機(jī)廣泛應(yīng)用于微納制造、集成電路制造等領(lǐng)域，能夠制造出結(jié)構(gòu)復(fù)雜、尺寸微小的電子元件和器件。

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Nature！這臺(tái)光刻機(jī)，助力首臺(tái)芯片級(jí)鈦寶石激光器問(wèn)世！

鈦：藍(lán)寶石激光器因其寬廣的帶寬和可調(diào)諧范圍，在基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著不可替代的作用。然而，其龐大的體積、高昂的成本以及對(duì)高功率泵浦源的需求極大地限制了應(yīng)用范圍。

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2024-10-18
直寫光刻機(jī)激光直寫 ?掩膜光刻
100%器件成品率！臺(tái)式無(wú)掩膜光刻機(jī)助力大面積MoTe2/Si高速光電探測(cè)器設(shè)計(jì)新思路

在寬帶光電探測(cè)器的研究領(lǐng)域中，科研人員致力于解決將二維材料（例如二硒化鉬（MoTe2））直接生長(zhǎng)于三維硅基板上的技術(shù)難題。此項(xiàng)技術(shù)的目標(biāo)在于解決2D-3D異質(zhì)結(jié)整合時(shí)所遇到的多重障礙，包括晶格不匹配、

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2024-11-08
?掩膜直寫光刻系統(tǒng)?掩膜光刻直寫光刻機(jī)

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直寫光刻機(jī)問(wèn)答

2023-06-14 16:49:45無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】 MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會(huì)產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運(yùn)機(jī)理尚不明確。這主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)器件只有兩個(gè)接觸點(diǎn)，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運(yùn)特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會(huì)對(duì)器件的電輸運(yùn)性能產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻(xiàn)報(bào)道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能，但這些研究主要基于理論計(jì)算，缺乏對(duì)MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能在場(chǎng)效應(yīng)器件中的實(shí)驗(yàn)研究。【成果簡(jiǎn)介】 2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場(chǎng)效應(yīng)管器件，在場(chǎng)效應(yīng)管器件中直接測(cè)量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)特性。通過(guò)比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運(yùn)被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)的認(rèn)知。借助第一性原理計(jì)算發(fā)現(xiàn)這一獨(dú)特的輸運(yùn)抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。本文中所使用的小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無(wú)需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)控制，可靠性高，操作簡(jiǎn)便，同時(shí)其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：

2023-01-08 12:35:25中科院物理所：納米級(jí)應(yīng)變直寫技術(shù)，加速二維材料應(yīng)變工程技術(shù)發(fā)展 |前沿用戶報(bào)道: 研究背景及成果應(yīng)變工程是指通過(guò)拉伸或壓縮等應(yīng)變技術(shù)來(lái)調(diào)控材料性能或優(yōu)化相關(guān)器件性能。近些年來(lái)，隨著二維材料的興起，基于它的應(yīng)變工程研究變得火熱起來(lái)。但現(xiàn)有的二維材料應(yīng)變技術(shù)（如拉伸襯底、產(chǎn)生氣泡等），重復(fù)性及靈活性差，因此如何實(shí)現(xiàn)微區(qū)可控復(fù)雜應(yīng)變成為應(yīng)變工程發(fā)展的重要方向之一。在此背景下，中科院物理所納米實(shí)驗(yàn)室N10組提出了一種非接觸式應(yīng)變直寫技術(shù)。該技術(shù)可以在二維材料中準(zhǔn)確寫入納米到微米尺度設(shè)計(jì)圖案的應(yīng)變。這項(xiàng)全新應(yīng)變技術(shù)，具備高度的靈活性以及半導(dǎo)體工藝兼容性，有望進(jìn)一步推進(jìn)二維材料在納米機(jī)電系統(tǒng)、高性能傳感和非傳統(tǒng)光伏到量子信息科學(xué)等廣泛領(lǐng)域的潛在應(yīng)用。相關(guān)成果"Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation."已在Applied Physics Letters 上發(fā)表。實(shí)驗(yàn)思路及結(jié)果驗(yàn)證光刻膠材料 PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）在電子束的輻照作用下會(huì)發(fā)生降解（如圖1所示），導(dǎo)致體積發(fā)生變化。光刻膠自身體積的變化，會(huì)進(jìn)一步使附著在其表面的二維材料以及其它薄膜材料發(fā)生形變（如圖2所示）。基于這個(gè)原理，中科院物理所研究團(tuán)隊(duì)便考慮利用電子束直寫設(shè)備的高精度圖形直寫能力，通過(guò)調(diào)控電子束劑量，創(chuàng)造納米級(jí)應(yīng)變分布的可控應(yīng)變結(jié)構(gòu)制備。圖1 光刻膠（PMMA）的電子輻照降解圖2 電子束誘導(dǎo)二維材料應(yīng)變實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制電子束輻照劑量，中科院物理所研究人員可以有效控制二維材料的應(yīng)變程度（如圖3所示）。拉曼光譜技術(shù)以及光致熒光（PL）光譜技術(shù)是研究半導(dǎo)體應(yīng)變的重要工具，圖4展示了“墨西哥帽狀”復(fù)雜應(yīng)變的PL光譜空間峰位分布圖， HORIBA LabRAM HR Evolution Nano 納米拉曼光譜儀的強(qiáng)大空間數(shù)據(jù)采集及后處理能力，進(jìn)一步揭示了該方法復(fù)雜應(yīng)變的制備能力，即同時(shí)制備包含拉伸應(yīng)變（紅移）以及壓縮應(yīng)變（藍(lán)移）結(jié)構(gòu)的能力。圖3 應(yīng)變調(diào)控圖4 復(fù)雜應(yīng)變空間分布儀器使用評(píng)價(jià)“該工作使用 HORIBA 的 LabRAM HR Evolution Nano 納米拉曼光譜儀，可探測(cè)納米級(jí)應(yīng)變分布，使用便捷；處理空間分布數(shù)據(jù)的功能非常強(qiáng)大。”實(shí)驗(yàn)室配備的LabRAM HR Evolution Nano納米拉曼光譜儀如果您對(duì)上述產(chǎn)品感興趣，歡迎掃描二維碼留言，我們的工程師將會(huì)及時(shí)為您答疑解惑。課題組介紹中科院物理所納米實(shí)驗(yàn)室N10組，主要研究方向有：納米材料與納米結(jié)構(gòu)的可控制備、新奇物理特性及器件應(yīng)用研究；自旋、能谷量子態(tài)物性研究及其在量子信息/量子計(jì)算的應(yīng)用;超快磁光激光光譜學(xué)；低維/納米材料物性和器件研究等。

2023-06-29 10:11:54無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利科學(xué)家揭秘其機(jī)理！: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會(huì)產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運(yùn)機(jī)理尚不明確。這主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)器件只有兩個(gè)接觸點(diǎn)，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運(yùn)特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會(huì)對(duì)器件的電輸運(yùn)性能產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻(xiàn)報(bào)道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能，但這些研究主要基于理論計(jì)算，缺乏對(duì)MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能在場(chǎng)效應(yīng)器件中的實(shí)驗(yàn)研究。成果簡(jiǎn)介2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場(chǎng)效應(yīng)管器件，在場(chǎng)效應(yīng)管器件中直接測(cè)量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)特性。通過(guò)比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運(yùn)被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)的認(rèn)知。借助第一性原理計(jì)算發(fā)現(xiàn)這一獨(dú)特的輸運(yùn)抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。本文中所使用的小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無(wú)需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)控制，可靠性高，操作簡(jiǎn)便，同時(shí)其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：

2019-10-18 10:47:51小型無(wú)掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）: 小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）是英國(guó)Durham Magneto Optics公司專為實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)環(huán)境中，掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要經(jīng)常改變。無(wú)掩膜光刻技術(shù)通過(guò)以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板的方法，克服了這一問(wèn)題。與通過(guò)物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過(guò)電腦控制DMD微鏡矩陣開(kāi)關(guān)，經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時(shí)其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：圖8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質(zhì)結(jié)光電器件的制備流程，紅色框所示為利用無(wú)掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）所制備電極結(jié)構(gòu)示意圖9. （左）利用MicroWriter制備的MoS2基器件的I-V特性曲線，其中所示單層MoS2形貌及表面電極；（右）MicroWriter虛擬掩膜功能（VMA）結(jié)果示意

2019-10-16 10:05:04成果速遞|小型無(wú)掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在復(fù)旦大學(xué)包文中教授課題組的Z新研究應(yīng)用: 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長(zhǎng)。使得掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無(wú)掩膜光刻技術(shù)。英國(guó)Durham Magneto Optics公司致力于研發(fā)小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3），為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)過(guò)程中，掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要根據(jù)實(shí)際情況多次改變。無(wú)掩膜光刻技術(shù)通過(guò)以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板的方法，克服了這一問(wèn)題。與通過(guò)物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過(guò)電腦控制DMD微鏡矩陣開(kāi)關(guān)，經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時(shí)其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：相關(guān)參考：1. 小型無(wú)掩膜光刻直寫系統(tǒng)：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=2972. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 18034653. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002