捷克泰思肯 TESCAN SOLARIS X 氙等離子源雙束FIB系統特點

捷克TESCAN SOLARIS X 氙等離子源雙束FIB系統：解構微納世界的利器

在當今瞬息萬變的科技浪潮中，材料科學、半導體制造、地質勘探乃至生命科學等領域對微觀結構和成分的精細分析需求日益增長。為了滿足這些嚴苛的挑戰，捷克TESCAN公司傾力打造了SOLARIS X氙等離子源雙束聚焦離子束（FIB）系統。這款集成了先進技術和精湛工藝的儀器，不僅是實驗室里的得力助手，更是推動科研和工業進步的關鍵力量。

SOLARIS X 并非簡單的FIB設備，它巧妙融合了高能聚焦的Ga+離子束和強大的氙等離子體離子源，為用戶提供了前所未有的材料制備和分析能力。這種“雙劍合璧”的設計，使得SOLARIS X在處理各種復雜樣品時游刃有余，尤其是在需要深度剖析、精確成像以及復雜三維重構的應用場景中，其優勢尤為突出。

核心技術亮點與數據支撐

SOLARIS X的核心競爭力在于其創新的雙束設計和高性能的離子源。

• 氙等離子體離子源 (X-PLANAR?)： 這一突破性技術使得SOLARIS X能夠提供比傳統鎵離子源更大的離子束流密度，最高可達 200 nA。這意味著在更短的時間內，可以實現更深、更寬的材料去除，極大地提高了樣品制備的效率。同時，氙等離子體離子源在化學惰性方面表現優異，能夠有效減少對敏感樣品的化學損傷，這對于生物樣品或有機材料的分析至關重要。
• 高精度鎵離子束 (GA-FIB)： 沿用了TESCAN成熟的Ga+離子束技術，能夠實現納米級別的精確聚焦和刻蝕。其束斑尺寸可小至 1 nm，為超薄切片、納米器件加工等精細操作提供了保證。
• 多模式成像能力： 結合了兩種離子源的優勢，SOLARIS X能夠實現多模態成像，包括高分辨率二次電子（SE）成像、背散射電子（BSE）成像，以及通過氙離子束產生的二次離子（SI）和透射離子（TI）成像。這種多維度信息獲取能力，使得用戶能夠從不同角度、不同層面深入理解樣品的三維結構和化學成分。
• 自動化與智能化： 該系統集成了先進的自動化軟件，支持一鍵式樣品定位、自動聚焦、曝光控制以及區域掃描等功能，大幅降低了操作門檻，提高了實驗的可重復性和效率。

應用場景廣泛，解鎖無限可能

SOLARIS X的強大性能使其在多個領域展現出巨大的應用潛力：

1. 半導體失效分析與工藝優化：
   • 快速定位和精確定位器件中的缺陷區域。
   • 通過精確的層層剝離，分析多層結構中的界面問題。
   • 實現納米級器件的精確切割和器件結構的重構，為研發提供關鍵數據。
   • 樣品制備時間相比傳統方法可縮短 30%-50%。
2. 材料科學研究：
   • 對金屬、陶瓷、聚合物等材料進行高精度微觀結構分析。
   • 研究材料的斷裂、腐蝕、疲勞等失效機理。
   • 制備用于透射電子顯微鏡（TEM）的超薄樣品，實現原子級分辨率的分析。
   • 通過深度剖析，研究材料的相分布、晶界特性等。
3. 地質與礦物學：
   • 分析礦物的微觀結構、成分分布和蝕變過程。
   • 對微量元素的定位和定量分析。
   • 實現礦物三維結構的重構，模擬形成和演化過程。
4. 生命科學：
   • 對細胞、組織等生物樣品的超薄切片制備，用于高分辨率電鏡成像。
   • 研究細胞器結構、蛋白質定位等。
   • 通過化學惰性，減少對生物樣品的損傷，提高分析的準確性。

總結

捷克TESCAN SOLARIS X 氙等離子源雙束FIB系統以其的性能、創新的設計和廣泛的應用前景，正在重新定義微納尺度下的材料分析和制備標準。它不僅是一臺精密儀器，更是科研人員和工程師們探索未知、解決挑戰的強大伙伴，將助力我們更深入地理解和改造微觀世界。