場發射掃描電鏡-國儀量子場發射掃描電鏡 SEM5000Pro

場發射掃描電鏡
SEM5000Pro

SEM5000Pro是低電壓高分辨的熱場發射掃描電鏡，使用了高壓隧道技術（Super-Tunnel）、無交叉電子光路、靜電電磁復合物鏡設計，減少了空間電荷效應，降低系統像差，實現了 1.2 nm@1 kV 的分辨能力。低壓下的成像分辨能力提升，可對不導電樣品或半導體樣品進行直接觀察，有效降低了樣品輻照損傷。

豐富的擴展能力

產品特點

01 分辨率高，低加速電壓下實現高分辨成像

02 電磁復合物鏡，減小像差，顯著提高低電壓下的分辨率，而且可觀察磁性樣品

03高壓隧道技術(SuperTunnel) ，在隧道中的電子能保持高能量，減少了空間電荷效應，低電壓分辨率得到保證

04電子光路無交叉，有效的降低系統像差，提升分辨能力

05水冷恒溫物鏡，保證物鏡工作的穩定性、可靠性和可重復性

06磁偏轉六孔可調光闌，自動切換光闌孔，無需機械調節，實現高分辨率觀察或大束流分析模式快速切換

應用領域

應用案例

 玻璃基底片 /3kV/ETD

 催化劑 /5kV/Inlens

 磁性粉末 /10 kV/Inlens

 氮化硼納米片 /3kV/ETD

 三元正極前驅體 /3kV/Inlens

 高熵合金粉末 /10kV/BSED

 金屬銅粉 /3kV/Inlens

 陶瓷截面 /3kV/Inlens

 鈷酸鋰 /3kV/Inlens

 納米花 /1kV/Inlens

 植物切片 /30kV/STEM-BF

 植物切片 /30kV/STEM-DF

 植物切片 /30kV/STEM-HAADF

 勃姆石 /5kV/BSED

 鋼鐵夾雜物 /15kV/BSED

 鋼鐵夾雜物 /15kV/Inlens

產品參數

關鍵參數	分辨率	0.8 nm @ 15 kV，SE 0.7 nm @ 15 kV ,  (減速模式）  1.2 nm @ 1.0 kV，SE 0.7 nm @  35 kV STEM
	加速電壓	20 V ～ 30 kV （可升級35kV）
	放大倍率	1 ～ 2,500,000 x
	電子槍類型	肖特基場發射電子槍
樣品室	攝像頭	雙攝像頭 （光學導航+樣品倉內監控）
	樣品臺行程	X: 110 mm，Y: 110 mm，Z: 50 mm T: -10°～ +90°（加預傾角）, R: 360°
探測器和擴展	標配	鏡筒內電子探測器：Inlens 倉室內電子探測器：ETD
	選配	插入式背散射電子探測器（BSED）（五分割，可選配） 插入式掃描透射探測器(STEM) 低真空二次電子探測器（LVD） 能譜儀（EDS） 背散射衍射（EBSD） 樣品交換倉（4 寸 /8 寸） 軌跡球&旋鈕板
軟件	語言	中文SEM軟件
	操作系統	Windows
	導航	光學導航、手勢快捷導航、軌跡球（選配）
	自動功能	自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散