儀器網>產品中心>實驗室常用設備>制樣/消解設備>氣相沉積系統更新時間：2026-02-03 01:44:54

氣相沉積系統

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產品產地：: 不限中國大陸大洋洲歐洲亞洲美洲

廠商性質：: 不限自營代理經銷

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￥4980000

德國IPLAS 微波等離子化學氣相沉積系統CYRANNUS

品牌：德國iplas 型號：iplas 微波等離子化學氣相沉積系統產地：歐洲德國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：德國IPLAS MPCVD CYRANNUS? 專利技術微波等離子化學氣相沉積系統，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域。晶圓生長金剛石膜，是第四代半導體材料。
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美NANO-MASTER的等離子增強化學氣相沉積系統PECVD系統NPE-4000

品牌：美國Nano-Master 型號：NPE-4000,NRP-4000,NSP-4000 產地：美洲美國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：NANO-MASTER的等離子增強化學氣相沉積系統PECVD系統NPE-4000,可以制造高質量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過熱電阻或者紅外燈加熱到800°C。
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法國Plassys微波等離子體化學氣相沉積系統 SSDR 150

品牌：法國Plassys 型號：SSDR 150 產地：歐洲法國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：法國Plassys微波等離子體化學氣相沉積系統 SSDR 150 ,專門用于合成 CVD 金剛石薄膜，能夠制備高純單晶(需高純氣源）、厚單晶、大單晶、多晶薄膜、光學級窗口。SSDR150 不斷優化的微波及等離子體設計，是一款可靠的、穩定的、長時間運行的金剛石薄膜生長系統，能夠wan美地適用于高?？蒲泻推髽I生產。
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超高真空多腔室物理氣相沉積系統

品牌：美國PVD 型號：4000 產地：美洲美國

廠商：科睿設備有限公司

簡介：該系統由全球專業的沉積設備商制造,配置多種沉積方式(預留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.
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等離子體增強化學氣相沉積系統

品牌：美國PVD 型號：G 4000 產地：美洲美國

廠商：科睿設備有限公司

簡介：PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
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微波等離子化學氣相沉積系統-MPCVD

品牌：iplas 型號：iplas CYRANNUS 產地：歐洲德國

廠商：清砥量子科學儀器（北京）有限公司

簡介： 1. CYRANNUS?技術無需在樣品腔內安裝內部電極，在沉積腔內，沒有工作氣體以外的任何物質，潔凈，無污染源。等離子發生器可以保持長壽命，并可以確保腔內的等離子體的均勻分布，進一步生成晶體的純凈度和生長周期。 2. CYRANNUS?技術的腔外多電極設置，確保等離子團穩定生成于腔內ZX位置，對腔壁、窗口等無侵蝕作用，減少雜質來源，提高晶體純度。由CYRANNUS?系統合成的金剛石，純度均在VVS級別以上。
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€65000

微波等離子化學氣相沉積系統

品牌：iplas 型號：CYRANNUS 產地：歐洲德國

廠商：清砥量子科學儀器（北京）有限公司
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￥3500000

YES-EcoCoat硅烷單層氣相沉積系統

品牌：美國YES 型號：YES-EcoCoat 產地：美洲美國

廠商：上海跡亞國際商貿有限公司

簡介：具有原位等離子體的硅烷單層氣相沉積系統
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1700度高真空CVD化學氣相沉積系統

品牌：諾巴迪型號：NBD-T1700-80TIG2Z（18838290747）產地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司
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NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統

品牌：美國Nano-Master 型號：NPE-3500PECVD 產地：美洲美國

廠商：深圳市科時達電子科技有限公司

簡介： NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統概述：NANO-MASTER PECVD系統能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到ZD可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。
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PECVD設備 NPE-4000(ICPA)自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-4000（ICPA）產地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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CVD設備微波等離子化學氣相沉積系統那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：PECVD 產地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的微波PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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PECVD鍍膜設備 NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-3500 產地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NANO-MASTER PECVD系統能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數。
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PECVD設備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-4000（ICPM）產地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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￥88888

上海微行PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

品牌：上海微行爐業型號：PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統產地：江蘇蘇州

廠商：上海微行爐業有限公司

簡介：價格有優勢，而且服務效率，質量上面好而且有保證。
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等離子體增強化學氣相沉積系統

品牌：諾巴迪型號：NBD-PECVD1200-80TID2ZY 產地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司

簡介：該產品具有固態等離子源、分開式反應氣體進氣系統，動態襯底溫控，控制真空系統，采用集中現場控制總線技術的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。?
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快速熱化學氣相沉積系統(RTCVD)

品牌：韓國ECOPIA 型號：RTCVD 產地：亞洲韓國

廠商：上海載德半導體技術有限公司
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低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)

品牌：韓國ECOPIA 型號：LC-100, LC-102 產地：亞洲韓國

廠商：上海載德半導體技術有限公司

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新品推薦: 上海微行PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統
價格有優勢，而且服務效率，質量上面好而且有保證。; PECVD鍍膜設備 NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特
NANO-MASTER PECVD系統能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數。; PECVD設備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; PECVD設備 NPE-4000(ICPA)自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; CVD設備微波等離子化學氣相沉積系統那諾-馬斯特
NM的微波PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; 1700度高真空CVD化學氣相沉積系統; 等離子體增強化學氣相沉積系統
該產品具有固態等離子源、分開式反應氣體進氣系統，動態襯底溫控，控制真空系統，采用集中現場控制總線技術的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。?; 超高真空多腔室物理氣相沉積系統
該系統由全球專業的沉積設備商制造,配置多種沉積方式(預留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.